深圳市星际金华库存原装出售NTGD4167CT1G N/P沟道逻辑电平门MOSFET - 阵列。

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型号：NTGD4167CT1G
批次：18+
制造商：ON安森美
类型：N/P沟道逻辑电平门MOSFET - 阵列
封装：TSOP-6

详细描述：N-和-P-沟道-Mosfet-阵列-30V-2.6A-1.9A-900mW-表面贴装-6-TSOP

特征
互补N沟道和P沟道MOSFET
小尺寸（3 x 3 mm）双TSOP-6封装
用于低导通电阻的前沿沟槽技术
减少栅极电荷以改善开关响应
独立连接的设备，提供设计灵活性
这是一种无铅设备

优势
行业STD足迹
改进的切换响应
提供设计灵活性

产品规格
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A，1.9A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 90 毫欧 @ 2.6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 5.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 295pF @ 15V
功率 - 大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装 6-TSOP

应用
DC-DC转换电路
带电平转换的负载/电源切换

终端产品
手机，PMP，DSC，GPS，便携式视频游戏，PC，打印机，Perepherals，DTV，机顶盒以及其他计算和数字消费产品