星际金华大量*现货出售安森美NTS2101PT1G P沟道金属氧化物场效应晶体管  价优物原  全新*现货  货源充足

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特征
用于低R DS（on）的*沟槽技术延长电池寿命
-1.8 V额定低压栅极驱动• SC-70表面贴装，适用于小尺寸（2 x 2 mm）
可提供无铅封装

规格

FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 100 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 6.4nC @ 5V
Vgs（大值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 640pF @ 8V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 290mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SC-70-3（SOT323）
封装/外壳 SC-70，SOT-323

应用
高侧负载开关
充电电路
单细胞电池应用，如手机，数码相机，PDA等

我们将竭诚为你服务！！！