P沟道金属氧化物场效应晶体管

BSO613SPVP沟道金属氧化物场效应晶体管

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2019-06-20 17:45:15
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产品简介

深圳市星际金华实业有限公司原装供应BSO613SPV P沟道金属氧化物场效应晶体管,表面贴装-P-沟道-60V-3.44A(Ta)-2.5W(Ta)-PG-DSO-8。

详细介绍

深圳市星际金华实业有限公司原装供应BSO613SPV P沟道金属氧化物场效应晶体管  现货库存  质量保证

星际金华提供BSO613SPV P沟道金属氧化物场效应晶体管  货源充足  量大价优  实单可议价

品牌:英飞凌    批号:18+   型号:BSO613SPV   封装:SOP8

产品参数

制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: SO-8 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: P-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 60 V 
Id-连续漏极电流: 3.44 A 
Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms 
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
Qg-栅极电荷: 30 nC 
小工作温度: - 55 C 
大工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 2.5 W 
配置: Single 
通道模式: Enhancement 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
封装: Reel 
高度: 1.75 mm  
长度: 4.9 mm  
系列: BSO613  
晶体管类型: 1 P-Channel  
宽度: 3.9 mm  
商标: Infineon Technologies  
正向跨导 - 小值: 2.2 S  
下降时间: 12 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 11 ns  
工厂包装数量: 2500  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 32 ns  
典型接通延迟时间: 10 ns  
零件号别名: BSO613SPV BSO613SPVGXT G SP000216309  
单位重量: 540 mg

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