双2N沟道场效应晶体管

NTUD3174NZT5G双2N沟道场效应晶体管

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2019-04-18 17:53:42
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深圳市星际金华实业有限公司

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产品简介

深圳市星际金华*NTUD3174NZT5G双2N沟道场效应晶体管,2-个-N-沟道(双)-Mosfet-阵列-20V-220mA(Ta)-125mW(Ta)-表面贴装-SOT-963。

详细介绍

深圳市星际金华*NTUD3174NZT5G双2N沟道场效应晶体管   **  价格实惠  质量可保证

星际金华供应NTUD3174NZT5G双2N沟道场效应晶体管  欢迎广大新老顾客的致电选购

产品信息

制造商 Linear Technology/Analog Devices

制造商零件编号 LTC1992HMS8

描述 IC OPAMP DIFF 3.2MHZ RRO 8MSOP

湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)

原厂标准交货期 12 周

标准包装  50

包装  管件  

类别 集成电路(IC)

产品族 线性 - 放大器 - 仪表,运算放大器,缓冲器放大器

系列 -

规格

FET 类型 2 个 N 沟道(双)

FET 功能 标准

漏源电压(Vdss) 20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 220mA(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值) 1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(大值) 1V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值) -

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值) 12.5pF @ 15V

功率 - 大值 125mW(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 SOT-963

供应商器件封装 SOT-963

 上述产品均为星际金华*现货供应,网上所标价均不是实价,实际交易请以当天咨询为准。欢迎选购!!!

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