N沟道场效应晶体管

CSD17306Q5AN沟道场效应晶体管

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2019-03-27 17:19:00
511
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深圳市星际金华实业有限公司

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产品简介

星际金华优势现货库存提供CSD17306Q5A N沟道场效应晶体管,设计了NexFET™功率MOSFET减少功率转换应用中的损失,并针对5V栅极驱动应用进行了优化。

详细介绍

星际金华优势库存提供CSD17306Q5A N沟道场效应晶体管  **  现货  量大价优   质量可保证

深圳市星际金华供应CSD17306Q5A N沟道场效应晶体管   欢迎选购   实单可议价

产品信息

制造商  TI 

批号   18+

型号  CSD17306Q5A

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Ta),100A(Tc)

驱动电压(大 Rds On,小 Rds On) 3V,8V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值) 3.7 毫欧 @ 22A,8V

不同 Id 时的 Vgs(th)(大值) 1.6V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值) 15.3nC @ 4.5V

Vgs(大值) +10V,-8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值) 2170pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散(大值) 3.2W(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-VSONP(5x6)

封装/外壳 8-PowerTDFN

我们将竭诚为您服务!!!

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