品牌
经销商厂商性质
深圳市所在地
星际金华优势库存提供CSD17306Q5A N沟道场效应晶体管 ** 现货 量大价优 质量可保证
深圳市星际金华供应CSD17306Q5A N沟道场效应晶体管 欢迎选购 实单可议价
产品信息
制造商 TI
批号 18+
型号 CSD17306Q5A
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On) 3V,8V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值) 3.7 毫欧 @ 22A,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(大值) 1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值) 15.3nC @ 4.5V
Vgs(大值) +10V,-8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值) 2170pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 3.2W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-VSONP(5x6)
封装/外壳 8-PowerTDFN
我们将竭诚为您服务!!!