N沟道金属氧化物场效应晶体管

PSMN0R9-25YLCN沟道金属氧化物场效应晶体管

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2019-01-08 14:26:33
518
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深圳市星际金华实业有限公司

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产品简介

星际金华大量原装现货出售PSMN0R9-25YLC N沟道金属氧化物场效应晶体管:逻辑电平增强型N沟道MOSFET,采用LFPAK封装。该产品设计适用于各种工业、通信及家用设备。

详细介绍

星际金华大量原装现货出售PSMN0R9-25YLC N沟道金属氧化物场效应晶体管  现货提供  量大价优   质量保证

深圳市星际金华供应PSMN0R9-25YLC N沟道金属氧化物场效应晶体管  原厂直销  有意者价格方面可洽谈

产品信息
制造商 Nexperia USA Inc.
制造商零件编号 PSMN0R9-25YLC,115
批号   新年份
标准包装  1,500
包装  标准卷带  
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
原厂标准交货期 26 周

规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值) 0.99 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(大值) 1.95V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值) 110nC @ 10V
Vgs(大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值) 6775pF @ 12V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 272W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 LFPAK56,Power-SO8
封装/外壳 SC-100,SOT-669

 实单者请自行致电与我们联系!!!

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