星际金华热卖*STF22NM60N N沟道场效应晶体管  进口*  量大价优  质量有保证

深圳市星际金华*STF22NM60N N沟道场效应晶体管  原厂直销   货源充足   现货出售可提供样品

说明：这些设备使用第二代MDmesh™技术制造。这一革命性的功率MOSFET将新的垂直结构与公司的带状布局相结合，从而产生世界上低的导通电阻和栅极电荷之一。因此，它适用于要求苛刻的高效转换器。

主要特点
100％雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低栅极输入电阻

规格参数值

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 220 毫欧 @ 8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 4V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 44nC @ 10V

Vgs（大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1300pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（大值） 30W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220FP

封装/外壳 TO-220-3 整包

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