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深圳市星际金华出售IKW75N65ES5 N沟道场效应晶体管 * 进口* 质量有保证
星际金华提供 IKW75N65ES5 N沟道场效应晶体管 价优物原 库存充足 欢迎选购
功能摘要:
极低的V CE(sat)在25°C时为1.35V,比TRENCHSTOP™5 H5低20%
IC(n)=标称电流的四倍(100°CT c)
软电流下降特性,无尾电流
对称,低压过冲
栅极电压受控制(无振荡)。没有不必要的器件导通的风险,也不需要栅极钳位
高结温T vj = 175°C
符合JEDEC标准
优点:
不需要V CE(峰值)钳位电路
适用于单个导通/关断栅极电阻
无需门夹紧组件
不需要米勒钳位的栅极驱动器
减少所需的EMI滤波
非常适合并联
目标应用:
存储
UPS
焊接
太阳能
充电器
规格:
IGBT 类型 沟道
电压 - 集射极击穿(大值) 650V
电流 - 集电极(Ic)(大值) 80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 300A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 1.75V @ 15V,75A
功率 - 大值 395W
开关能量 2.4mJ(开),950µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 164nC
25°C 时 Td(开/关)值 40ns/144ns
测试条件 400V,75A,18 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 85ns
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3
星际金华期待广大商友致电 我们将竭诚为您服务