N沟道场效应晶体管

IKW75N65ES5N沟道场效应晶体管

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2018-11-27 17:34:16
633
属性:
产地:进口;加工定制:否;
>
产品属性
产地
进口
加工定制
关闭
深圳市星际金华实业有限公司

深圳市星际金华实业有限公司

免费会员
收藏

组合推荐相似产品

产品简介

深圳市星际金华出售IKW75N65ES5 N沟道场效应晶体管:TRENCHSTOP™5 S5是新型IGBT系列,适用于10kHz至40kHz之间的应用切换,可提供高效率,更快的产品上市周期,降低电路设计复杂性以及PCB材料成本优化。

详细介绍

深圳市星际金华出售IKW75N65ES5 N沟道场效应晶体管  *  进口*  质量有保证

星际金华提供  IKW75N65ES5 N沟道场效应晶体管   价优物原   库存充足  欢迎选购

功能摘要:
极低的V CE(sat)在25°C时为1.35V,比TRENCHSTOP™5 H5低20%
IC(n)=标称电流的四倍(100°CT c)
软电流下降特性,无尾电流
对称,低压过冲
栅极电压受控制(无振荡)。没有不必要的器件导通的风险,也不需要栅极钳位
高结温T vj = 175°C
符合JEDEC标准

优点:
不需要V CE(峰值)钳位电路
适用于单个导通/关断栅极电阻
无需门夹紧组件
不需要米勒钳位的栅极驱动器
减少所需的EMI滤波
非常适合并联

目标应用:
存储
UPS
焊接
太阳能
充电器

规格:

IGBT 类型 沟道

电压 - 集射极击穿(大值) 650V

电流 - 集电极(Ic)(大值) 80A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 300A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 1.75V @ 15V,75A

功率 - 大值 395W

开关能量 2.4mJ(开),950µJ(关)

输入类型 标准

栅极电荷 164nC

25°C 时 Td(开/关)值 40ns/144ns

测试条件 400V,75A,18 欧姆,15V

反向恢复时间(trr) 85ns

工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 PG-TO247-3

 星际金华期待广大商友致电    我们将竭诚为您服务

上一篇:Hengstler亨士乐RI64空心轴编码器 下一篇:滑触线集电器、多极铜排集电器、单极滑线集电器介绍
热线电话 在线询价
提示

仪表网采购电话