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星际金华库存出售 TPD4EUSB30DQAR瞬态抑制二极管 ** 价格优势 有意者欢迎选购
星际金华* TPD4EUSB30DQAR瞬态抑制二极管 量大价优 实单有接受价可详谈
描述:
TPD2EUSB30,TPD2EUSB30A和TPD4EUSB30是基于2和4通道瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管阵列。TPDxEUSB30 / A器件额定能够以IEC 61000-4-2标准(触点)中规定的大电平消散ESD冲击。根据IEC 61000-4-5(浪涌)规范,这些器件还提供5 A(8 /20μs)峰值脉冲电流额定值。
TPD2EUSB30A提供低4.5 V DC击穿电压。低电容,低击穿电压和低动态电阻使TPD2EUSB30A成为高速差分IO的保护器件。
TPD2EUSB30和TPD2EUSB30A采用节省空间的DRT(1 mm×1 mm)封装。TPD4EUSB30采用节省空间的DQA(2.5 mm×1.0 mm)封装。
规格:
类型 转向装置(轨至轨)
单向通道 4
电压 - 反向关态(典型值) 5.5V(大)
电压 - 击穿(小值) 7V
电压 - 箝位(大值)@ Ipp 8V
电流 - 峰值脉冲(10/1000µs) 1A(8/20µs)
功率 - 峰值脉冲 45W
电源线路保护 是
应用 通用
不同频率时的电容 -
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 10-UFDFN
供应商器件封装 10-USON(2.5x1)
特征:
支持USB 3.0数据速率(5 Gbps)
IEC 61000-4-2 ESD保护(4级触点)
IEC 61000-4-5浪涌保护
5 A(8 /20μs)
低电容
DRT:0.7 pF(典型值)
DQA:0.8 pF(典型值)
动态电阻:0.6Ω(典型值)
节省空间的DRT,DQA包
流通引脚映射
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