瞬态抑制二极管

TPD4EUSB30DQAR瞬态抑制二极管

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2018-09-04 16:31:12
501
属性:
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深圳市星际金华实业有限公司

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产品简介

TPD4EUSB30DQAR瞬态抑制二极管:TPD2EUSB30,TPD2EUSB30A和TPD4EUSB30是基于2和4通道瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管阵列。TPDxEUSB30 / A器件额定能够以IEC 61000-4-2标准(触点)中规定的大电平消散ESD冲击。

详细介绍

星际金华库存出售 TPD4EUSB30DQAR瞬态抑制二极管  **  价格优势  有意者欢迎选购

星际金华*  TPD4EUSB30DQAR瞬态抑制二极管   量大价优   实单有接受价可详谈

描述:
TPD2EUSB30,TPD2EUSB30A和TPD4EUSB30是基于2和4通道瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管阵列。TPDxEUSB30 / A器件额定能够以IEC 61000-4-2标准(触点)中规定的大电平消散ESD冲击。根据IEC 61000-4-5(浪涌)规范,这些器件还提供5 A(8 /20μs)峰值脉冲电流额定值。
TPD2EUSB30A提供低4.5 V DC击穿电压。低电容,低击穿电压和低动态电阻使TPD2EUSB30A成为高速差分IO的保护器件。
TPD2EUSB30和TPD2EUSB30A采用节省空间的DRT(1 mm×1 mm)封装。TPD4EUSB30采用节省空间的DQA(2.5 mm×1.0 mm)封装。

规格:

类型 转向装置(轨至轨)

单向通道 4

电压 - 反向关态(典型值) 5.5V(大)

电压 - 击穿(小值) 7V

电压 - 箝位(大值)@ Ipp 8V

电流 - 峰值脉冲(10/1000µs) 1A(8/20µs)

功率 - 峰值脉冲 45W

电源线路保护 是

应用 通用

不同频率时的电容 -

工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 10-UFDFN

供应商器件封装 10-USON(2.5x1)

特征:
支持USB 3.0数据速率(5 Gbps)
IEC 61000-4-2 ESD保护(4级触点)
IEC 61000-4-5浪涌保护
5 A(8 /20μs)
低电容
DRT:0.7 pF(典型值)
DQA:0.8 pF(典型值)
动态电阻:0.6Ω(典型值)
节省空间的DRT,DQA包
流通引脚映射

【TPD4EUSB30DQAR瞬态抑制二极管】此型号均为我司*的产品,因产品数量繁多,网上无法一一上传更多产品的有关信息,如没有您所想要的产品信息或图片,请致电咨询公司的工作人员,我们将竭诚为您服务!!!

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