深圳市星际金华电子公司原装* 英飞凌IRF3205STRLPBF金属氧化物场效应管 原厂直销 现货营销 价格低廉 质量有保证 欢迎广大商友 

IRF3205STRLPBF金属氧化物场效应管：

优点：

符合RoHS标准
低RDS（上）
行业*的质量
动态dv / dt额定值
快速切换
*雪崩评级
175°C工作温度

概观：

功率更大，空间更小 - 采用新型  OptiMOS™5 40V和60V 功率MOSFET，英飞凌实现了1mOhm 40V器件和SuperSO8封装中1.6mohm 60V，显着降低了R DS（on） max。目标应用包括低压 电机控制，电信，同步整流，Or- ing开关，太阳能微逆变器和隔离式DC-DC转换器。显着降低栅极电荷和输出电荷可实现高系统效率和功率密度。英飞凌的OptiMOS™功率MOSFET 40V-75V针对同步整流进行了优化，非常适合用于高频开关和DC-DC转换器。 StrongIRFET™功率MOSFET 针对需要性能和耐用性的低频应用进行了优化，这些应用包括电动工具，轻型电动车和电动自行车等终端应用。

规格：

FET 类型    N 沟道
技术    MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）    55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）    110A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）    10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值）    4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值）    146nC @ 10V
Vgs（大值）    ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值）    3247pF @ 25V
FET 功能    -
功率耗散（大值）    200W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）    8 毫欧 @ 62A，10V
工作温度    -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型    表面贴装
供应商器件封装    D2PAK
封装/外壳    TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

【IRF3205STRLPBF】 此产品由星际金华*原装现货供应，因市场价格变动幅度较大，网上所标价持有不确定性，实单者请先来电子咨询我司的客服人员！！！

公司还供应以下型号：

L6201PSTR
SN98660AFG
MP156GJ
MP3312GC
MP2601EJ
MSP430G2152IRSA16R
IPA093N06N3G
N25Q128A11ESF40F
BCM5356C0KFBG
REF3120AIDBZR
REF3125AIDBZR
REF3133AIDBZR
ACS758LCB-100B
REF3030AIDBZR
LM5010MHX
IRF3205STRLPBF
L9352B