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IPA093N06N3G

规格：

FET 类型    N 沟道
技术    MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）    60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）    43A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）    10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值）    4V @ 34µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值）    48nC @ 10V
Vgs（大值）    ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值）    3900pF @ 30V
FET 功能    -
功率耗散（大值）    33W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）    9.3 毫欧 @ 40A，10V
工作温度    -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型    通孔
供应商器件封装    PG-TO220-3-31 整包
封装/外壳    TO-220-3 整包

功能概述：

出色的栅极电荷x R DS（on）产品（FOM）
非常低的导通电阻R DS（on）
快速切换应用的理想选择
符合RoHS标准 - 无卤素
MSL1评级

优点：

所需的并行性较少
增加功率密度
系统成本降低
非常低的电压过冲

目标应用：

同步整流
太阳能微逆变器
隔离的DC-DC转换器
用于12-48V系统的电机控制
Or-ing交换机

上述产品均为星际金华上乘原装*现货，网上所发布的信息仅供参考，实单者请先客服人员，我们将竭诚为您服务！！！