反应离子腐蚀技术是一种各向异性很强、选择性高的干法腐蚀技术。它是在真空系统中利用分子气体等离子来进行刻蚀的，利用了离子诱导化学反应来实现各向异性刻蚀，即是利用离子能量来使被刻蚀层的表面形成容易刻蚀的损伤层和促进化学反应，同时离子还可清除表面生成物以露出清洁的刻蚀表面的作用。

本设备适用于常规尺寸样片（不超过φ4英寸）的刻蚀，可刻蚀的材料主要有SiO2、Si2N4、多晶硅、硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻胶、半导体材料、部分金属等，设备具有选择比高、刻蚀速度快、重复性好等优点。装置带负偏压，可实现更多的各向异性蚀刻轮廓。装置示意及实物图如下：

装置参数介绍：

• 腔体组件

    刻蚀真空腔体采用圆筒形结构，优质304不锈钢材质焊接而成，直径280mm，高度180mm，侧面开门，下方设有偏压样品台及多孔抽气口（抽气更均匀），样品台直径120mm，可放置直径100mm样品。主腔体上部设有带导流罩的ICP源及进气口。

• 电源系统

一套射频电源连接缠绕在腔体外的螺旋线圈，使线圈产生感应耦合的电场，在电场作用下刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体，一套偏压电源连接在样品台上使得等离子体产生定向运动，获得各向异性蚀刻轮廓。

• 进气及真空抽气系统

   系统进气采用4路质量流量计控制进气，流量200SCCM。另外配备一路保护气体入口，用于吹扫腔体及腔体放气。真空抽气采用一台4L双级旋片式真空泵及阀门组成，真空测量采用一套数显热偶真空计。

• 台架及控制系统

装置采用一体化设计，整机尺寸约600mm*600*700mm(高)，底部设有脚轮，刻蚀腔体固定在台架上部，控制部分采用手动逻辑控制。