《区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶棒的规程》征求意见_光谱分析

《区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶棒的规程》征求意见

2022/7/26 10:35:19 22156: 来源：仪表网

摘要：近日，国家标准计划《区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶棒的规程》编制完成并公开征求意见，时间截止到9月19日。

　　【仪表网仪表标准】近日，国家标准计划《区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶棒的规程》编制完成并公开征求意见，时间截止到9月19日。

　　随着社会经济发展，国家对环保越来越重视，绿色发展已经成为今后社会经济发展主流，绿色能源如太阳能发电成为今后国家能源发展的主要方向。而多晶硅作为太阳能电池板生产的主要原材料，是发展绿色能源不可或缺的原料，在电子工业中，多晶硅被视为“微电子大厦的基石”。

　　现行GB/T 29057-2012《用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程》标准为国内首次制定的关于区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的标准。在使用该标准时需参照其他标准，严重制约了国内多晶硅企业及检测机构对多晶硅棒的评价测试，随着检测手段的不断更新，标准内部分内容已不能满足现行多晶硅产品标准的检测需求，并且没有有关氧浓度技术指标的测试内容。

　　本次通过修订增加氧浓度技术指标的测试内容，使该标准满足现行多晶硅产品标准的检测要求，规范和提升国内实验室检测高纯多晶硅的水平，这对促进我国高纯多晶硅生产质量和极大规模集成电路产业以及N型高效太阳能电池发展具有重要的意义。

　　该文件规定了多晶硅棒取样﹑将样品区熔拉制成单晶以及通过光谱分析方法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中痕量杂质的程序。

　　该文件中适用的杂质浓度测定范围:施主和受主杂质为(0.002~100)ppba(十亿分之一原子比)，碳杂质为(0.02~15)ppma(百万分之一原子比)，氧杂质为(0.02~15)ppma(百万分之一原子比)。样品中的这些杂质是通过低温红外光谱法或光致发光光谱法分析的。文件仅适用于评价硅芯上沉积生长的棒状多晶硅。

　　该标准根据国内使用改良西门子法生产棒状多晶硅企业的实际测试情况，结合我国半导体及太阳能光伏产业的发展现状对原标准的技术内容进行修订，进一步完善棒状多晶硅质量评价的规程。

　　另外，该标准适用于用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒。包括多晶硅棒取样、将样品采用气氛区熔工艺拉制成单晶以及通过光谱分析法对制备好的单晶硅棒进行分析，确定多晶硅棒中施主杂质浓度、受主杂质浓度及碳、氧杂质浓度，主要修订以下内容:

　　1)根据GB/T 1.1调整标准结构，使其更符合使用习惯;

　　2)增加干扰因素内容;

　　3)明确规定区熔样品的工艺参数;

　　4)增加氧浓度技术指标的测试内容，通过实验确定最佳的氧浓度样片取样位置，对多晶硅中的氧浓度进行准确测量;

　　5)结合标准的实际使用情况对原标准的技术内容进行广泛征集意见，进行适当修改。