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超发光二极管（SLD）
与激光二极管类似，超发光发光二极管基于电驱动的pn结，该pn结在正向偏置时会变为光学有源并在很宽的波长范围内产生放大的自发发射。SLD的峰值波长和强度取决于活性物质的成分和注入电流的水平。SLD设计为对沿波导产生的自发发射具有高单程放大，但与激光二极管不同，SLD的反馈不足以实现激射作用。这是通过倾斜波导和抗反射涂层的小面的共同作用非常成功地实现的。
SLD是具有相当宽的光带宽的光源。它们不同于光谱非常窄的激光器和光谱宽得多的白光源。该特性主要表现为光源的时间相干性较低（这是所发射的光波随时间保持相位的能力有限）。但是，SLD可能表现出高度的空间相干性，这意味着它们可以有效地耦合到单模光纤中。一些应用利用SLD源的低时间相干性来实现成像技术中的高空间分辨率。相干长度是经常用于表征光源的时间相干的量。
一方面，SLD是经过优化以生成大量放大的自发发射（ASE）的半导体器件。为此，它们合并了高功率增益部分，其中以30 dB或更高的高增益因子放大了种子自发发射。另一方面，SLD缺乏光反馈，因此不会发生激光作用。通过使刻面相对于波导倾斜，可以抑制由于来自光学组件（例如连接器）的光向腔内的反向反射而产生的光反馈，并且可以通过减反射涂层进一步抑制这种反射。避免了谐振器模式的形成以及因此在光谱中和/或在光谱变窄方面的明显结构。
规格：
-型号：SLD-1000-100-YY-25
-平均波长：1000纳米
-带宽半高：100纳米
-输出功率：25兆瓦
-max波长：955、1030纳米
-频谱倾角：1个D b
-工作电流：600mA
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