半导体应变片以压阻效应为主，半导体是掺杂的单晶硅、锗、锑化铟等。几种常用半导体材料的特性见表9。5-5。尤其是以单晶硅zui为常见，力作用在单晶硅上，由于压阻效应，单晶硅电阻发生变化，单晶硅电阻的变化量与其所在的晶面位置有关，为提高传感器的灵敏度，应在压阻系数的晶面上制作压敏电阻。常用的晶面有[111]，[110]，[100] 。
表9。5-5
| 名称 | 电阻率ρ/Ω.cm | 弹性模时E/×1011Pa | 灵敏度 | 晶面 | |
| 硅 | P型 | 7．8 | 1．87 | 175 | [111] |
| N型 | 11．7 | 1．23 | -132 | [100] | |
| 锗 | P型 | 15．0 | 1．55 | 102 | [111] |
| N型 | 16．6 | 1．55 | -157 | [111] | |
| N型 | 1．5 | 1．55 | -147 | [111] | |
| 锑化铟 | P型 | 0．54 | | -45 | [100] |
| P型 | 0．01 | 0．745 | 30 | [111] | |
| N型 | 0．013 | | 74．5 | [100] | |
压阻式压力传感器的结构，其核心为一块有四个扩散电阻的单晶硅膜片，用一个圆形环固定，将两个气室隔开，两个气室分别与被测压力相通，膜上布四个扩散电阻，组成一个测量电桥。
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