一、概述
介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷的一项重要的物理性质,通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε),可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素,为提高材料的性能提供依据;该仪器广泛应用于大专院校、科研院所对无机非金属新材料性能的应用研究。仪器遵从标准:GB/T5594.4-1985。
二、仪器的技术指标
1.频率范围及刻度误差
范围:50KHz~50MHz共分七个波段
1.1:50~150KHz
1.2:150~450KHz
1.3:450~1500KHz
1.4:1.5~4.5MHz
1.5:4.5~12MHz
1.6:12~25MHz
1.7:25~50MHz
允许误差:+2%
2.Q值测量范围及误差
范围:5~500
误差:1)当频率从5~25KHz
量程5~50 +5%
量程15~150 +5%
量程50~500 +7%
2)当频率从25~50MHz,所有量程均为+10%
3)△Q范围:-25 ~ 0 ~ +25。
3.电感测量范围及误差
范围:0.1μH~100mH
误差:+5%+0.01μH
4.试样尺寸
圆片形:厚度2+
Φ25~
Φ15~
三、实验步骤:
1.本仪器适用于110V/220V , 50Hz+0.5Hz交流电,使用前要检查市电电压是否合适,采用稳压电源,以保证测试条件的稳定。
2.开机预热15分钟,使仪器恢复正常状态后才能开始测试。
3.按部件标准制备好的陶瓷试样,两面用烧渗法被上银层,并分别焊上一根Φ
4.选择适当的辅助线圈插入电感接线柱。根据需要选择振荡器频率,调节测试电路电容器使电路谐振。假定谐振时电容为C1,品质因素为Q1。
5.“△Q零点调节”旋钮使Q表指向表头中间零点。
6.“Q量程”开关扳回500档。
7.将被测样品接在“CX”接线柱上。
8.再调节测试电路电容器使电路谐振,这时电容为C2,“Q量程”扳向△Q位置,可以直接读出△Q,并且Q2= Q1-△Q,将Q表量程扳回500档。
9.用游标卡尺量出试样的直径Φ和厚度d(分别在不同位置测得两个数据,再取其平均值)。
四、实验结果
1.tanδ和ε测定记录
实验数据按表1要求填写。
表1 tanδ和ε测定记录表
试样名称 | | 测定人 | | 测定时间 | | ||||||
试样处理 | | ||||||||||
编号 | C1 | C2 | C | d | ψ | δ | Q1 | △Q | Q2 | tanδ | QX |
| | | | | | | | | | | |
2.计算
Cd Φ2
1)介电常数ε
ε=
式中:C---试样的电容量(PF), C= C1-C2;
d---试样厚度(cm);
Φ—试样直径(cm)。
C1 △Q C1 Q1-Q2 C1-C2 Q1* Q
2)介质损耗角正切tanδ
tanδ= * = *
1 Q1Q tanδ Q1-Q
3) Q值
Q = = *
五、注意事项
1.圆片形试样的尺寸(Φ=
2.电压或频率的剧烈波动常使电桥不能达到良好的平衡,所以测定时,电压和频率要求稳定,电压变动不得大于1%,频率变动不得大于0.5%。
3.电极与试样的接触情况,对tanδ的测试结果有很大影响,因此烧渗银层电极要求接触良好、均匀,而厚度合适。
4.试样吸湿后,测得的tanδ值增大,影响测量精度,应严格避免试样吸潮。
5.在测量过程中,注意随时检查电桥本体屏蔽的情况,当电桥真正达到平衡,“本体-屏蔽”开关置于任何一边时,检查计光带均应zui小,而无大变化。