GR/BiStat 北京双通道恒电位仪

GR/BiStatGR/BiStat 北京双通道恒电位仪

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2024-06-14 07:44:45
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产品简介

北京双通道恒电位仪槽压:20V范围从±10V 到 0-20V可调 大电流选项:内置式4A, 另可外接扩充至10A , 20A及80A zui大电位分辨率:300uV(20V动态范围);3uV(过程控制,200mV范围) zui大电流分辨率:0.004%,过程控制可至760pA(10uA范围,标

详细介绍

北京双通道恒电位仪

型号:GR/BiStat

仪器简介:

法国产品,主要用于:
储能, 传感器, 电镀, 腐蚀及电池的研究

北京双通道恒电位仪

技术参数:

槽压:20V范围从±10V 到 0-20V可调
大电流选项:内置式4A, 另可外接扩充至10A , 20A及80A
zui大电位分辨率:300uV(20V动态范围);3uV(过程控制,200mV范围)
zui大电流分辨率:0.004%,过程控制可至760pA(10uA范围,标准通道),低电流选项通道:76fA(1nA范围)
准确性(直流):<0.1% 全范围
升起时间:<2uS(无负载)
转换速率:>3V/uS(无负载)
电流范围:±10uA-±400mA(标准通道,低电流扩展选项可至1nA范围),2A,4A,,8A,10A,20A,80A大电流扩展可选。
计算机接口: TCP/IP
单机通道数:2个,可选
电位电流控制切换时间; <10uS

北京双通道恒电位仪

主要特点:

具TCP/IP以太通常方式,可用局域网实现远程控制及多人多任务操作
内置校准技术,可随时校准仪器
采模快式设计,方便功能扩充及维修保养

仪器简介:

法国产品,主要用于:
储能, 传感器, 电镀, 腐蚀及电池的研究


技术参数:

槽压:20V范围从±10V 到 0-20V可调
大电流选项:内置式4A, 另可外接扩充至10A , 20A及80A
zui大电位分辨率:300uV(20V动态范围);3uV(过程控制,200mV范围)
zui大电流分辨率:0.004%,过程控制可至760pA(10uA范围,标准通道),低电流选项通道:76fA(1nA范围)
准确性(直流):<0.1% 全范围
升起时间:<2uS(无负载)
转换速率:>3V/uS(无负载)
电流范围:±10uA-±400mA(标准通道,低电流扩展选项可至1nA范围),2A,4A,,8A,10A,20A,80A大电流扩展可选。
计算机接口: TCP/IP
单机通道数:2个,可选
电位电流控制切换时间; <10uS


主要特点:

具TCP/IP以太通常方式,可用局域网实现远程控制及多人多任务操作
内置校准技术,可随时校准仪器
采模快式设计,方便功能扩充及维修保养

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