Thorlabs PDA10A2 硅光电探测器 带宽150MHz

固定增益，200 - 1100 nm，0.8 mm2，8-32/M4通用螺孔

我们提供多种硅(Si)自由空间型带放大的光电探测器，光灵敏范围从紫外到近红外。Thorlabs带放大的光电探测器内置低噪声跨阻放大器(TIA)或低噪声TIA后接电压放大器。Menlo Systems的FPD系列带放大光电探测器内置射频(RF)放大器或跨阻放大器。我们提供固定增益和可调增益的版本，前者具有固定的zui大带宽和总跨阻增益，后者提供两个或八个增益设置。

Thorlabs光电探测器能够满足多种要求，380 MHz的PDA015,A固定增益探测器具有1 ns脉冲响应，高灵敏PDF10A2具有zui小3.0 fW/Hz1/2噪声等效功率(NEP)，可调增益的PDA100A2具有八种可调的zui大增益(带宽)组合，范围从1.51 kV/A (11 MHz)到4.75 MV/A(3 kHz)。具有飞瓦灵敏度的PDF10A2为低频器件，只能端接高阻抗(Hi-Z)负载，而其它所有带放大的硅光电探测器都能够驱动从50 Ω到Hi-Z的负载。

每个探测器都有SM05 (0.535"-40)内螺纹与SM1 (1.035"-40)外螺纹。除了有些特定的探测器，所有装置外壳上都有8-32螺孔 (-EC和/M型号为M4螺孔)。PDA10A2、PDA8A2、PDA36A2、PDA100A2和PDF10A2使用新外壳，具有兼容8-32和M4的通用螺孔。

Menlo Systems的FPD系列探测器具有易用的光电二极管封装，集成高增益、低噪声RF放大器(FPD310-FS-VIS)或跨阻放大器(FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS) 。FPD310-FS-VIS非常适合需要高带宽和超短上升时间(< 1 ns)的应用，它能以0和20 dB两种步长调节增益。FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS具有固定增益，能够在探测低水平光学拍频信号时提供zui高信噪比，zui高探测频率分别为250 MHz和600 MHz。FPD510-FS-VIS上升时间为2 ns，而FPD610-FS-VIS上升时间为1 ns。这些是直流耦合器件，FPD510-FS-VIS的3 dB带宽为200 MHz，而FPD610-FS-VIS为500 MHz。FPD探测器设计紧凑，便于OEM集成。每个Menlo探测器外壳上有一个用于安装接杆的M4螺孔。

每个探测器都有SM05 (0.535"-40)内螺纹与SM1 (1.035"-40)外螺纹。除了有些特定的探测器，所有装置外壳上都有8-32螺孔 (-EC和/M型号为M4螺孔)。PDA10A2、PDA8A2、PDA36A2、PDA100A2和PDF10A2使用新外壳，具有兼容8-32和M4的通用螺孔。关于安装孔位置及如何安装的详细信息，请看外壳特性和安装选项标签。

Menlo Systems的FPD系列探测器具有易用的光电二极管封装，集成高增益、低噪声RF放大器(FPD310-FS-VIS)或跨阻放大器(FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS) 。FPD310-FS-VIS非常适合需要高带宽和超短上升时间(< 1 ns)的应用，它能以0和20 dB两种步长调节增益。FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS具有固定增益，能够在探测低水平光学拍频信号时提供zui高信噪比，zui高探测频率分别为250 MHz和600 MHz。FPD510-FS-VIS上升时间为2 ns，而FPD610-FS-VIS上升时间为1 ns。这些是直流耦合器件，FPD510-FS-VIS的3 dB带宽为200 MHz，而FPD610-FS-VIS为500 MHz。FPD探测器设计紧凑，便于OEM集成。每个Menlo探测器外壳上有一个用于安装接杆的M4螺孔。更多有关外壳的信息，请看外壳特性标签。如需带FC/PC输入端的探测器，请看光纤耦合型带放大的硅探测器。

PDA10A2与附带的±12 V电源。

Thorlabs PDA10A2 硅光电探测器 带宽150MHz

电源

每个带放大的光电探测器都附带一个±12 V的线性电源，支持100、120和230 VAC输入电压。更换用的电源在下方出售。将电源连接到线路之前，请确保电源模块上的线性电压开关已经设定在正确的电压范围。请始终使用电源上的电源开关来给电源通电。建议装置不要热插拔。

Menlo的FPD510-FS-VIS、FPD610-FS-VIS和FPD310-FS-VIS包含一个低噪声电源。

Menlo Systems探测器包含一个符合当地区域使用的±12 V电源。

Item #a	Housing Featuresb	Wavelength Range	Bandwidth Range	Rise Time	Gain		NEP	Typical Performance Graphs	Active Areac	Operating Temperature Range	Power Supply Included
					Hi-Z Load	50 Ω Load
PDA10A2		200 - 1100 nmd	DC - 150 MHz	2.3 ns	10 kV/A	5 kV/A	29.2 pW/Hz1/2		0.8 mm2 (Ø1 mm)e	10 to 50 °C	Yes
PDA8A2		320 - 1000 nm	DC - 50 MHz	7 ns	100 kV/A	50 kV/A	7.8 pW/Hz1/2		0.5 mm2 (Ø0.8 mm)	10 to 50 °C	Yes
PDF10A2		320 - 1100 nm	DC - 20 Hz	22 ms	1 x 109 kV/A	-	3.0 x 10-3 pW/Hz1/2		1.2 mm2 (1.1 x 1.1 mm)	10 to 50 °C	Yes
PDA015A2		400 - 1000 nm	DC - 380 MHz	1.0 ns	50 kV/A	25 kV/A	36 pW/Hz1/2		0.018 mm2 (Ø150 µm)	10 to 40 °C	Yes
FPD510-FS-VIS		400 - 1000 nm	DC - 250 MHz	2 ns	-	1.5 x 105 Vpp/Wf 2.5 x 104 Vpp/Wg	6.0 pW/Hz1/2		0.13 mm2 (Ø0.4 mm)	10 to 40 °C	Yes
FPD610-FS-VIS		400 - 1000 nm	DC - 600 MHz	1 ns	-	2 x 106 Vpp/Wf 2.5 x 105 Vpp/Wg	11.2 pW/Hz1/2		0.13 mm2 (Ø0.4 mm)	10 to 40 °C	Yes

a. 点击链接查看产品图片。

b. 点击图标了解外壳详情。

c. 点击链接查看探测元件的图片。

d. 如果长期使用紫外光，产品性能可能会退化。例如，产品的紫外响应可能会降低，暗电流可能会增加。而性能退化的程度取决于辐射水平、强度和使用时间等因素。

e. 探测器有源区表面与外壳前部齐平，因此不兼容下面提供的S120-FC、S120-FC2和S120-25光纤转接件。

f. 飞秒脉冲增益

g. CW增益

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