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白话芯片漏电定位方法

时间:2019-02-26      阅读:4157

  白话芯片漏电定位方法
 

  芯片漏电是失效分析案例中常见的,找到漏电位置是查明失效原因的前提,液晶漏电定位、EMMI(CCD\InGaAs)、激光诱导等手段是工程人员经常采用的手段。多年来,在中国半导体产业有个误区,认为激光诱导手段就是OBIRCH。今日小编为大家科普一下激光诱导(laser scan Microscope).
 

  目前激光诱导功能在业内普遍被采用的有三种方法,这三种方法分别被申请了专#li(日本OBIRCH、美国TIVA、新加坡VBA)。国内大多数人认为只有OBIRCH才是激光诱导,其实TIVA和VBA和OBIRCH是同等的技术。三种技术都是利用激光扫描芯片表面的情况下,侦测出哪个位置的阻抗有较明显变化,这个位置就可能是漏电位置。侦测阻抗变化就是用电压和电流来反映,下面是三个技术原理:
 

  1、OBIRCH和TIVA
 

  如上图是一个器件的漏电回路,R1代表漏电点的阻抗,I1代表回路电流,V代表回路上的电压。
 

  OBIRCH;给器件回路加上一个电压V,然后让激光在芯片表面进行扫描,同时监测回路电流I1的变化.
 

  TIVA:给器件回路加上一个微小电流I1,然后让激光在芯片表面进行扫描,同时监测回路电压V的变化.
 

  2、VBA技术
 

  如上图是一个器件的漏电回路,R1代表漏电点的阻抗,I1代表回路电流,V1代表回路上的电压,R2是串联在回路中的一个负载,V2是R2两端的电压。
 

  VBA:给器件回路加上一个电压V1,然后让激光在芯片表面进行扫描,同时监测V2的变化(V2/R2=I1,其实也是监测I1的变化),这样大家可以看出来了,VBA其实就是OBIRCH,只是合理回避了NEC专#li。

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