u主要用途

芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。

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性能参数

a)着陆电压范围 - 电子束：350V~30kV

                - 离子束：500V~30kV

b)zui小分辨率 - 电子束：0.8nm/30kV

              - 离子束：2.5nm/30kV

c)全新的差分抽取及TOF校正功能，可实现更高分辨率的离子束成像、磨削和沉积

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应用范围

1.定点切割

2.穿透式电子显微镜试片

3.IC线路修补和布局验证

4.制程上异常观察分析

5.晶相特性观察分析

6.故障位置定位用被动电压反差分析