快速热处理或快速热处理(RTP/RTA)是一种半导体制造工艺，它提供了一种快速加热样品到高温的方法，以便在几分钟的时间尺度上执行短过程。这种快速加热速率是由测量样品温度的高温计和热电偶控制的强度灯(例如近红外光源-钨卤灯)实现的。冷却也需要控制，以防止位错和样品断裂。快速热处理起初是为离子注入退火而开发的，但已将其应用范围扩大到氧化、硅化物形成、化学气相沉积和应用，如修改元素、化合物或合金的晶体相以增强性能、晶格界面或应力松弛。RTP是一种灵活的技术，可提供快速加热和冷却，加工温度约为200-1300°C，斜坡速率通常为20-200°C/秒，结合优异的气体环境控制，允许在一个加工配方中创建复杂的多阶段工艺。

在这个过程中，半导体制造中使用的硅晶片在几秒钟的时间内被加热到1000摄氏度(1832华氏度)以上的温度。微量氧的测量是保证产品质量的关键。快速热加工是半导体制造中的一项关键技术，通过使用强度灯或激光，可以更快地处理硅晶圆。然后仔细冷却晶圆片以防止热冲击。快速热过程用于各种半导体制造应用，包括掺杂剂活化，热氧化，金属回流和化学气相沉积。我们使用值得信赖的技术，包括质谱和氧化锆，提供经过现场验证的分析解决方案。具有快速响应能力，这些分析仪提供污染物的快速检测，以确保产品质量。

硅片在传输过程中、升降舟（进出反应室）前后过程中，会受到设备内部气氛中氧分子的影响，导致非必要氧化层的产生，造成硅片的品质降低甚至报废现象。因此，通常需要采取氧气（O2）分析仪和气体质量流量控制器来闭环控制和降低设备内部气氛中的含氧量。同时，为避免微氧控制过程中气氛压力超出安全范围，一般采用了基于PLC的闭环控制模型来控制气氛中的压力，确保微氧控制良好情况下压力系统的可靠运行。

SenzTx101氧仪器

微氧控制是半导体立式炉、氧化炉、扩散炉、退火/推进设备的关键性能指标。爱尔兰Ntron恩特龙的SenzTx101/Microx-231氧气分析仪采用螺纹或法兰安装，采用长寿命的氧化锆氧传感器技术，量程0-100PPM，0-1000PPM，也可以选择1ppm-25%量程的氧含量监测范围，响应快，精度高，长期稳定性好，使用寿命长，特别适合半导体氧化/退火炉的工况。目前已经在国内主要半导体设备厂商批量使用，是一款可靠、有效的产品。