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IWATSU CS-8200/8500新一代高精度GaN/SiC器件静态曲线图示仪 岩崎
面议IWATSU CS-3000/3200/3300 岩崎半导体IGBT特性图示测试仪系统
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面议IWATSU SY-320A/321A 岩崎SY-8218 B-H分析仪磁芯高低温测试系统
面议NF ZM2371/2372/2376回路设计5.5MHZ 高频LCR表
面议NF ZM2371/2372/2376 ALC(自动电平控制)100KHZ LCR表 日本回路设计
面议结合用途配备丰富的功能
以DUT特性的设定,支持高重现性且准确的测量
准确的评价基于实际使用的操作条件
电子零件、电子材料可能因测量频率及施加的信号级别而表现出不同的特性。电容器和电感器存在因寄生成分引发的频率依赖性,二极管等半导体器件由于 DC 偏置叠加而产生特性变化。
要评价真实的特性,重要的是频率、AC 振幅和 DC 偏置的扫频,在实际的操作条件下进行测量。
● 扫频
● 延迟功能
● 标记操作
● 测量条件等的设定
● 自动高密度扫频
● 顺序测量
● 量程
● 误差校正
● 图表显示
丰富的功能
● 共振点跟踪测量
● 相对介电常数测量
● 外部基准时钟
● 等效电路估算
● 相对导磁率测量
● 存储器操作
● 压电常数计算
● 比较器 / 处理器接口
扫频 频率、AC 振幅、DC 偏置、零频宽
不变更频率、AC 振幅和 DC 偏置的参数,按恒定的条件进行测量,观察不同时间的特性变化(横轴:时间)
“True Value”
测量真正的特性。
▲ ZA57630
从电子零件、半导体器件到材料的特性评价,应对多样的阻抗测量需求
实现了业界的0.5ms/point。
缩短生产线的节拍时间,提高测量作业的效率。
此外,通过增加设定的测量时间,使测量结果平均化,减轻噪声的影响。可视需要选择最合适的测量时间。
4种测量模式 应对广泛的DUT
本模式可以在广泛的频率范围内进行高精度测量。可使用测试线及测试夹具,应对各种形状的试样。
本模式可以在 10MHz 以上的高频下进行稳定的测量。使用 N 型连接器进行 2 端子测量,即便配线长,也可以进行稳定的测量。
本模式为外部连接放大器或分流电阻等物进行测量。
可以通过施加高压信号或检测微小电压 / 电流进行单独使用本仪器无法应对的测量。
本模式可以测量滤波器、放大器等的传输特性。向被测电路施加扫描信号,高精度地测量其频率响应(增益、相位)。
正面面板测量端子