NF ZA57630 阻抗分析仪 日本回路设计

NF ZA57630 阻抗分析仪 日本回路设计

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2022-07-03 13:42:54
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长沙力高捷创仪器有限公司

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产品简介

测量真正的特性,从电子零件、半导体器件到材料的特性评价,应对多样的阻抗测量需求。

详细介绍

特点:

结合用途配备丰富的功能
以DUT特性的设定,支持高重现性且准确的测量
准确的评价基于实际使用的操作条件

电子零件、电子材料可能因测量频率及施加的信号级别而表现出不同的特性。电容器和电感器存在因寄生成分引发的频率依赖性,二极管等半导体器件由于 DC 偏置叠加而产生特性变化。
要评价真实的特性,重要的是频率、AC 振幅和 DC 偏置的扫频,在实际的操作条件下进行测量。


特点
  • 扫频

  • 延迟功能

  • 标记操作

  • 测量条件等的设定

  • 自动高密度扫频

  • 顺序测量

  • 量程

  • 误差校正

  • 图表显示

丰富的功能

  • 共振点跟踪测量

  • 相对介电常数测量

  • 外部基准时钟

  • 等效电路估算

  • 相对导磁率测量

  • 存储器操作

  • 压电常数计算

  • 比较器 / 处理器接口

扫频 频率、AC 振幅、DC 偏置、零频宽


AC 振幅扫描

AC amplitude sweep


扫频

Frequency sweep


DC 偏置扫频

DC bias sweep


零频宽

不变更频率、AC 振幅和 DC 偏置的参数,按恒定的条件进行测量,观察不同时间的特性变化(横轴:时间)



“True Value”
测量真正的特性。

ZA57630

▲ ZA57630

ce

从电子零件、半导体器件到材料的特性评价,应对多样的阻抗测量需求    









基本精度


频率范围


阻抗范围


测量 AC 信号级别


DC 偏置


测量时间


测量参数
±0.08%
10 µHz~36 MHz
10 µΩ~100 GΩ (模式: IMPD-EXT)
0.01 mVrms~3 Vrms
0.1 µArms~60 mArms
−5 V ~ +5 V/−40 V ~ +40 V (1 kHz以上)
100 mA ~ +100 mA
0.5 ms/point
Z, R, X, Y, G, B, Ls, Lp, Cs, Cp, Rs, Rp, θz, θy, D, Dε, Dµ,
Q, V, I, εs, εs’, εs”,µs, µs’, µs”, FREQUENCY


快速测量

实现了业界的0.5ms/point。
缩短生产线的节拍时间,提高测量作业的效率。
此外,通过增加设定的测量时间,使测量结果平均化,减轻噪声的影响。可视需要选择最合适的测量时间。

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4种测量模式 应对广泛的DUT


IMPD-3T
标准测量模式

本模式可以在广泛的频率范围内进行高精度测量。可使用测试线及测试夹具,应对各种形状的试样。

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IMPD-2T
高频测量模式

本模式可以在 10MHz 以上的高频下进行稳定的测量。使用 N 型连接器进行 2 端子测量,即便配线长,也可以进行稳定的测量。

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IMPD-EXT
外部扩展测量模式

本模式为外部连接放大器或分流电阻等物进行测量。
可以通过施加高压信号或检测微小电压 / 电流进行单独使用本仪器无法应对的测量。

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G-PH
增益/相位测量模式

本模式可以测量滤波器、放大器等的传输特性。向被测电路施加扫描信号,高精度地测量其频率响应(增益、相位)。

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正面面板测量端子

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