射频导纳物位开关

射频导纳物位开关

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具体成交价以合同协议为准
2024-11-05 10:37:50
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产品简介

一、产品原理及应用古大GDAS51射频导纳物位开关的探测极棒与金属容器罐壁之间具有电容特性,由此构成一个电桥电路,振荡电路产生的射频振荡信号加在这个电桥上

详细介绍

    一、产品原理及应用

古大GDAS51 射频导纳物位开关的探测极棒与金属容器罐壁之间具有电容特性,由此构成一个电桥电路,振荡电路产生的射频振荡信号加在这个电桥上。当被测介质未接触到探测极棒时,电桥处于平衡状态,没有输出信号,而当被测介质填充到探测极棒与罐壁之间时,由于被测介质的电特性与空气不同,会引起电桥电路的不平衡,从而产生输出信号。可应用于液体、固体等复杂过程条件的测量。

二、产品参数

探测组件材料:PPS/不锈钢 316L 

过程温度:-50~150°C

过程压力:-1.0~64bar

信号输出:一个单刀双掷继电器,接点容量 250V/5A

过程连接:G¾A

长度:0.4~3m;0.3~10m

供电方式:24VDC±10% 220VDC±10%

GDAS51系列射频导纳物位开关选型表

GDAS51 选型代码 说 明
仪表种类 A 高精度、高稳定性
B 高稳定性
C 中等普通工业用
D 一般工业用
供电电压 A 24V
B 220V
电缆进线 M M20×1.5
N ½NPT
T1 特殊要求
现场显示 A
X 不带
T2 特殊要求
带散热片/过程温度 A 带/-40 C....+150 °C
X 不带/-40 C....+80 °C
T3 特殊要求
长度(mm) A 四位数字
T4 特殊要求


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