τ:10～6000μs，ρ＞3Ω·cm ，配数字示波器;用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质的重要检测项目。
设备组成
1.光脉冲发生装置:
重复频率>25次/s
脉    宽>60μｓ
光脉冲关断时间＜1μｓ
红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）
脉冲电流：5A～20A
如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源
2.高频源:
频    率：30MHz低输出阻抗
输出功率>1W
放大器和检波器:
频率响应：2Hz～2MHz
3.配用示波器：
配用示波器：频带宽度不低于10MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。
测量范围：
可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥0.1Ω·㎝（欧姆·厘米）
寿命值的测量范围：5～6000μｓ（微秒）