100C型200型的的，区别只是红外激光管的功率大了一倍，加了个红外地光照破除陷进效应
τ:1～6000μs   ρ＞0.1Ω·cm太阳能，硅片寿命，配已知寿命样片、配数字示波器，
本设备是按照，标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法”设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探器行业已运用了三十多年，积累了丰富的使用经验，经过数次，十多个单位巡回测试的考验，证明是一种成熟，的测试方法，适合于硅块、硅棒的少子体寿命测量；也可对硅片进行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，因此制样简便。
产品特点：
可测量太阳能，多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面%抛光，直接对切割面或研磨面进行测量，仪器可按需方提供的有标称值的校准样品调试寿命值。
可测量太阳能，单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面%抛光、钝化。
液晶屏上直接显示少子寿命值，同时在线显示光电导衰退波形。
配置的红外光源：0.904～0.905μm波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能，硅晶体少数载流子体寿命，脉冲功率30W。
，为消除陷进效应增加了红外低光照。
测量范围宽广
测试仪可直接测量：
 a、研磨或切割面：电阻率≥0.5Ω?cm的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。
 b、抛光面：电阻率在0.5～0.01Ω?cm范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。
范    围：0.5μs~6000μs
电 阻 率：ρ﹥0.1Ω·cm（非回炉料）
测试速度：1分钟/片
红外光源波长： 0.904～0.905μm
高频振荡源：用石英谐振器，振荡频率：30MHZ
前置放大器，放大倍数约25，频宽2HZ-2MHZ
可测单晶尺寸：断面竖测：
直径25mm-150mm；厚度2mm-500mm
纵向卧测：直径5mm-20mm；长度50mm-200mm
测量方式：采用数字示波器直接读数方式
测试分辨率：，数字存储示波器，分辨率0.01μs
设备重量：20 Kg
仪器电源：电源电压类型：单相210～230V,50Hz,带电源隔离、滤波、稳压，不能与未做保护措施的大功率、高频设备共用电源。