【广州★洋奕电子】提德国HBMHLCB1D1-10t称重传感器价格资讯及产品服务。 

世界众多传感器品牌如：美国Transcell称重传感器、美国Celtron称重传感器、美国Tedea-huntleigh称重传感器、瑞士Mettler Toledo称重传感器、德国HBM称重传感器等。

：，王工sales2@gzyangyi.cn 。

产品名称：HLCB1D1-10t称重传感器

产品品牌：德国HBM接线盒，HBM接线盒

简述霍尔元件的零位误差及其原因。 

答：从理论上说，当B=0,I=0时，霍尔元件的输出应该为零，即UH=0，实际上仍有一定霍尔电压输出，这就是元件的零位误差，其主要原因有以下几种： 

（1）不等位电动势。这是一个主要的零位误差。由于两个霍尔电压极在制作时不可能对称地焊在霍尔元件两侧、输入电流极的端面接触不良、材料电阻率不均匀以及霍尔元件的厚度不均匀等均会产生不等为电动势。 

（2）寄生直流电动势。在没有磁场的情况下，元件通以交流输入电流，它的输出除了交流不等位电动势外，还有一直流电动势分量。此电动势称为寄生直流电动势，其产生的原因是由于输入电流极、霍尔电压极的接触电阻造成整流效应以及霍尔电压极的焊点大小不*，其热容量不*产生温差，造成直流附加电压。 

（3）感应零位电动势。当没有输入电流时，在交流或脉动磁场作用下产生的电动势称为感应零位电动势。它与霍尔电压极引线构成的感应面积A成正比。 

（4）自激场零位电动势。当霍尔元件通以输入电流时，此电流就会产生磁场，这一磁场称为自激场，理论情况下自激场对称抵消，但实际应用时，由于输入电流引线也产生磁场，使元件左右两半场不等，因而有霍尔电压输出，这一输出电压称为自激场零位电动势

德国HBM传感器其它型号种类

S9M/1KNS9M/2KN

S9M/5KNS9M/10KN

S9M/20KNS9M/50KN

U1A/10NU1A/20N

U1A/50NU3/0.5KN

U3/1KNU3/2KN

U3/5KNU3/10KN

U3/20KNU3/50KN

德国HBMHLCB1D1-10t称重传感器相关信息

MEMS的发展，把传感器的微型化、智能化、多功能化和可靠性水平提高到了新的高度。除MEMS外，新型传感器的发展还有赖于新型敏感材料、敏感元件和纳米技术，如新一代光纤传感器、超导传感器、焦平面陈列红外探测器、生物传感器、纳米传感器、新型量子传感器、微型陀螺、网络化传感器、智能传感器、模糊传感器、多功能传感器等。多传感器数据融合技术也促进了传感器技术的发展。它形成于20世纪80年代，它不同于一般信号处理，也不同于单个或多个传感器的监测和测量，而是对基于多个传感器测量结果基础上的更高层次的综合决策过程。有鉴于传感器技术的微型化、智能化程度提高，在信息获取基础上，多种功能进一步集成以致于融合，这是必然的趋势美国AC GX-1-200kg    GX-1-10T60001-500lb 60063-1.5Klb 60051-25lb 65040-60Klb

60001-750lb 60063-2Klb 60051-50lb 65040-75Klb

60001-1Klb 60063-2.5Klb 60051-100lb 65040-100Klb

60001-1.5Klb 60063-3Klb 60051-200lb 65040-125Klb

60001-2Klb 60063-5Klb 65083H-500lb 65040-10T

60001-2.5Klb 65023-250lb 65083H-1Klb 65040-25T

60001-3Klb 65023-500lb 65083H-1.5Klb 65040-35T

60001-5Klb 65023-1Klb 65083H-2Klb 65040-45T

60001-10Klb 65023-1.5Klb 65083H-4Klb 60060-100lb

60001-15Klb 65023-2Klb 65083H-5Klb 60060-250lb

60001-20Klb 65023-4Klb 65083H-10Klb 60060-500lb

60001-50Kg 65023-5Klb 65083H-15Klb 60060-750lb

60001-100Kg 65023-10Klb 65083H-20Klb 60060-1Klb

60001-250Kg 65023-15Klb 65083H-250Kg 60060-2Klb

60001-500Kg 65023-20Klb 65083H-500Kg 65040W-25Klb

60001-1T 65023-125Kg 65083H-750Kg 65040W-40Klb

德国HBMHLCB1D1-10t称重传感器工作原理

42. 在红外技术中，一般将红外辐射分为四个区域，即近红外区、中红外区、远红外区和（    D）。这里所说的”远近”是相对红外辐射在电磁波谱中与可见光的距离而言。  

A．微波区    B．微红外区    C．X射线区   D．极远红外区  

43. 红外辐射在通过大气层时，有三个波段透过率高，它们是0.2～2.6μｍ、3～5μm和（    A），统称它们为”大气窗口”。  

A．8～14μｍ   B．7～15μｍ   C．8～18μｍ   D．7～14.5μｍ  

44. 红外探测器的性能参数是衡量其性能好坏的依据。其中响应波长范围（或称光谱响应），是表示探测器的（B    ）相应率与入射的红外辐射波长之间的关系。  

A．电流    B．电压     C．功率    D．电阻  

45. 光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（A    ）。使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。  

A．光子效应     B．霍尔效应     C．热电效应     D．压电效应

  46. 当红外辐射照射在某些半导体材料表面上时，半导体材料中有些电子和空

穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态，使半导体的导电率增加，这种现象叫（  B  ）。  

A．光电效应    B．光电导现象     C．热电效应      D．光生伏特现象

60001-5T 65023-500Kg 65083H-2T 65040W-60Klb

60001-10T 65023-750Kg 65083H-5T 65040W-75Klb

60050-50Kg 65023-1000Kg 65083H-10T 65040W-100Klb

60050-100Kg 65023-2000Kg 65058S-10Klb 65040W-125Klb

60050-250Kg 65023-5000Kg 65058S-25Klb 65040W-10T

60050-500Kg 65023-10000Kg 65058S-40Klb 65040W-25T

60050-1T 65083-500lb 65058S-50Klb 65040W-35T

60050-2.5T 65083-1Klb 65058S-60Klb 65040W-45T

60050-5T 65083-1.5Klb 65058S-75Klb

60050-10T 65083-2Klb 65058S-100Klb