一、简述

霍尔效应是电磁学中的一个重要实验，其应用日益广泛。霍尔效应可以测定材料的载流子浓度及载流子迁移率等重要参数，判断材料的导电类型，是研究半导体材料的重要手段。霍尔效应可以测量直流或交流电路中的电流强度和功率以及把直流电流转化成交流电流并对它进行调制、放大。应用霍尔效应制作的传感器广泛用于磁场、位置、位移、转速的测量。

本实验仪可使实验者了解霍尔效应的原理、学会用霍尔效应测量磁场，仪器设有过热、过压、过流保护，实验中不会损坏电流源和霍尔元件，特别适合学生自己动手、研究和分析实验现象。

仪器配备国产霍尔元件和进口霍尔元件各１个。其中国产霍尔元件为硅，额定工作电流为10mA，透明环氧封装，元件直观性好；进口霍尔为砷化镓（GaAs），Ｎ型半导体材料，额定工作电流为2.5mA,塑料封装，外形如塑封三极管，使用方便，不易损坏。电磁铁气隙4mm，Z大磁感应强度接近500mT。

二、实验内容

1． 测量霍尔电流I_H与霍尔电压U_H的关系

2． 测量霍尔元件的灵敏度K_H.

3． 测量磁化曲线(或测量励磁电流I_M与B的关系。)

4． 测量电磁铁磁场沿水平方向的分布

三、主要技术参数

1. 电磁铁磁感应强度＞450mT/A.

2. 进口砷化镓（GaAs）霍尔和国产硅（Si）霍尔两种实验样品

3. 恒流源1：0～1000mA，

4. 恒流源2：0～19.99mA，

5. 三位半数码管显示

6. 四位半电压表量程：0～±199.99mV.