晶体管特性图示仪型号-图像处理
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具体成交价以合同协议为准
2017-05-29 16:15:44
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产品简介

晶体管特性图示仪型号可用来测定晶体管的共集电极、共基极、共发射极的输入特性、输出特性、转换特性、α、β参数特性;可测定各种反向饱和电流 ICBO、ICEO、IEB0和各种击穿电压 BUCBO、BUCEO、BUEBO等;还可以测定二极管、稳压管、可控硅、隧道二极管、场效应管及数字集成电路的特性,用途广泛。

详细介绍

晶体管特性图示仪型号用途:

晶体管特性图示仪可用来测定晶体管的共集电极、共基极、共发射极的输入特性、输出特性、转换特性、α、β参数特性;可测定各种反向饱和电流 ICBO、ICEO、IEB0和各种击穿电压 BUCBO、BUCEO、BUEBO等;还可以测定二极管、稳压管、可控硅、隧道二极管、场效应管及数字集成电路的特性,用途广泛。

晶体管特性图示仪型号简介:

晶体管特性图示仪是一种示波器,它能直接观察各种晶体管特性曲线及曲性簇。例如:晶体管共射、共基和共集三种接法的输入、输出特性及反馈特性;二极管的正向、反向特性;稳压管的稳压或齐纳特性;它可以测量晶体管的击穿电压、饱和电流、自或a参数等~~~

技术指标:

(l)Y轴编转因数:

集电极电流范围:0.01~1000毫安/度,分十六档,误差≤±3%;

集电极电流倍率:分×2、×1、×0.l三档,误差≤±3%;

基极电压范围:0.01~0.5V/度,分六档,误差≤±3%;

基极电流或基极源电压:0.05V/度,误差≤±3%;

外接输入:0.1V/度,误差≤±3%;

(2)X轴偏转因数:

集电极电压范围:0.01~20V/度,分十一档,误差≤±3%;

基极电压范围:0.01~0.5V/度,分六档,误差≤±3%;

基极电流或基极源电压:0.5V/度,误差≤±3%;

外接输入: 0.1V/度,误差≤±3%。

(3)基极阶梯信号:

阶梯电流范围:0.001~ 200mA/度,分十七档;

阶梯电压范围:0.01~0.2V/级,分五档;

串联电阻:10Ω~22KΩ,分 24档;

每族级数:4~12连续可变;

每秒级数:100或200,共3档;

阶梯作用:重复、关、单族,共三档;

极性:正、负两档;

误差≤±5%.

(4)集电极扫描信号:

峰值电压:0~20V、0~200V两档,正、负连续可调;

电流容量: 0~20V时为10A(平均值),0~200V时为1A(平均值);

功耗限制电阻:0~100KΩ,分17档,误差≤±5%;

(5)电源:交流 220V ±10%,50Hz±20Hz。

功耗:260VA.

环境温度:-10 ℃~+40℃

相对湿度:≤80%

 

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