?OVERVIEW
QL83O6S-A/B/C is a MOCVD grown 830nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure.
It's an attractive light source, with a typical light output power of 100mW for industrial optical module
and sensor applications.
?APPLICATION
- Sensor
- Industrial Optical Module
?FEATURES
- Visible Light Output : λp = 830 nm
- Optical Power Output : 100mW CW
- Package Type : TO-18 (5.6mmφ)

- Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode

?概述
QL83O6S-A/ B/ C是MOCVD生长830nm的频带的AlGaAs激光量子阱结构二极管。
这是一个有吸引力的光源，具有100mW的的工业光模块的典型光输出功率
和传感器应用。
?应用
- 传感器
- 工业光模块
?特点
- 可见光输出：λP=830纳米
- 光输出功率：100mW的CW
- 封装类型：TO-18（5.6mmφ）
- 内置光电二极管监测激光二极管