830nm 150mW 半导体激光二极管

QL83Q6S-A/B/C830nm 150mW 半导体激光二极管

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2015-10-16 14:01:21
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深圳市隆兴达科技有限公司

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产品简介

产品名称:QL83Q6S-A/B/C 830nm 150mW 半导体激光二极管

产品型号:QL83Q6S-A/B/C

产品波长:830nm

工作电流:210mA

产品功率:150mW

产品封装:TO-18 (5.6mmφ)

详细介绍

¨OVERVIEW
QL83Q6S-A/B/C is a MOCVD grown 830nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure.
It's an attractive light source, with a typical light output power of 150mW for industrial optical module
and sensor applications.
¨APPLICATION
- Sensor
- Industrial Optical Module
¨FEATURES
- Visible Light Output : lp = 830 nm
- Optical Power Output : 150mW CW
- Package Type : TO-18 (5.6mmf)


- Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode

概观
QL83Q6S-A/ B/ C是MOCVD生长830nm的频带的AlGaAs激光量子阱结构二极管。
这是一个有吸引力的光源,具有150mW的的工业光模块的典型光输出功率
和传感器应用。
应用
- 传感器
- 工业光模块
特征
- 可见光输出:LP=830纳米
- 光输出功率:150mW的CW
- 封装类型:TO-18(5.6mmf)
- 内置光电二极管监测激光二极管

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