特性：

1. 采用碳化硅（SiC）材料

2.       宽频段（UVA+UVB+UVC）

3. 有效探测区域0.2mm²（SG01M-51LENS敏感区域为11.0mm²，可探测非常弱的辐射）

4.       10mW/cm²峰值辐射照度产生约2600nA电流（10uW/cm²峰值的SG01M-51LENS约140nA）

5.       芯片高度稳定性（通过德国PTB认证）

关于碳化硅材料（SiC）：

SiC可承受辐射硬度，近乎*的可见盲区，低暗电流，高速响应和低噪音的*属性；这些功能使SiC成为可见盲区紫外探测器的使用材料。SiC探测器可以*工作在高达170℃的温度中，信号（响应率）的温度系数也很低，<0.1%/K。由于（fA级别的暗电流）噪音低，很低的紫外线辐射强度也可以可靠地测量，（需要适当的放大器）。

SiC光电二极管可作为未滤波的宽带探测设备或带有光学滤波器，提供对UVA、UVB、UVC波段的响应。