CYG502的压力敏感元件采用当代的MEMS（Miro Electronic Machinical Systems）技术设计与制造。三维集成、双面加工的硅压阻压力敏感元件具有优秀的线性精度。离子注入、精细光刻技术制作的惠斯顿应变电桥的高度*性使其具有很小的温度漂移。采用硅硅直接键合技术、倒V型槽设计、从而实现了可利用芯片薄膜尺寸的*化，为超微型传感器的实现取得关键突破。

使用了硅–硅键合技术，改善了热匹配效果，减少了应力带来的零位不稳定性。

目前已面市品种有绝压型测量模式产品，表压型正在研制中。

CYG502A绝压型超微型压力传感器为探针形，标准外径为Ф2.1mm、Ф2.6mm，传感器的可选量程为50、100、160、250、400、600、1000、1600、2500、4000kPa压力。

CYG502A绝压传感器用敏感元件正面承压。因此，它仅适用于介质为无腐蚀性，不导电性的干燥气体。它有着相当宽的工作温区，可达-55℃～+125℃，也有着非常优秀的高频动态特性，其zui低量程的敏感元件的固有频率＞200kHz，上升时间为亚微秒。