霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。

该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知*度。仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或固体材料均可。

本仪器系统由：电磁铁、高精度电源、高斯计、高精度恒流源、高精度电压表、霍尔探头、电缆、标准样品、样品安装架、系统软件。

技术指标：

* 磁 场：间距 10mm情况下10700 高斯，间距20mm 情况下7000 高斯。

*样品电流：50nA~50mA（*小可调节电流为 0.1nA）

*测量电压：0.1uV~30V

* 提供各类测试标准材料，各级别霍尔器件（灵敏度与精度不同）

**小分辨率：1GS

*磁场范围：0-±1T

*配合高斯计或数采板可与计算机通讯

* I-V 曲线及 I-R 曲线测量等 ▲ 电阻率范围：10-7~1012 Ohm*cm

*电阻范围：10 m Ohms~ 6MOhms

*载流子浓度：103~1023cm-3

*迁移率：0.1~108cm2/volt*sec

*测试全自动化，一键处理

*专业的欧姆接触组合套件

样品测试：

设置控制电流、磁场和霍尔片厚度，点击“开始测试”按钮，软件将完成一键测试过程，直至计算出所有霍尔参数。每次测试完后，可选择保存该计算结果值，然后点击“**显示”按钮，以进入下一次测试。

若保持磁场大小不变，改变控制电流的大小，可通过画图操作观察Is 与 VH的关系；若保持控制电流大小不变，改变磁场的大小，可通过画图观察 B 与 VH 的关系。