Optitherm lll发射率自动测量仪

美国*！

简要描述：

在CVD、MBE和MOCVD反应过程中，Optitherm lll 发射率自动测量系统通过光纤镜头和的脉冲激光器可以精确地测量单个或多个晶片的温度 。

Optitherm lll 可以监测着被测光洁材料的不断变化的发射率，从而使得红外测温设备可以达到±3℃的精度。该主动式测量技术不同于传统的被动式测量技术。

    Optitherm lll 通过主动式反射测量技术得到目标的发射率(E%)，从而得到目标的实际温度(Te)。当接收测量红外辐射时,在同一时间,位置,波段自动测量被测物光洁表面的反射,获得准确的实际温度。微处理器以极快的速度(1ms)将这些值传递给PC，PC快速计算并记录下目标的实际温度，从而实现即时的过程控制。

   Optitherm lll 可以应用在各种各样的应用中，如：生产制造、芯片加工或研究与开发等其他一系列与精确温度测量方面的应用。

技术：

Optitherm lll 使用了技术,基于红外技术的激光来测量目标的发射率及真实温度。

一个低功率的砷化镓脉冲激光器发出脉冲激光，通过特定的光路(激光通道)发射到被测目标上的测量区域，激光反射信号和红外辐射信号通过另一个光路(辐射通道)返回。激光信号(AC)在目标信号(DC)之上。监控发出的激光能量并加上几何因素(包括测量距离)，Optitherm lll 可以得到被测目标的反射率及发射率。测量过程中，仅接收目标辐射出的以激光波段为中心的非常窄的带宽的波段，这使其可以在特殊应用中得到zui高的精度。

Optitherm lll 内置了5种操作模式：远程控制模式，由PC通过命令操作和控制；自动模式，在一定时间内持续输出数据，时间可调；单一模式，仅适用其温度测量功能；间隔模式，在特定的时间定序内测量；离线模式，用于安装和校准功能。

• 参数设置：< >红外辐射和发射率的自动测量温度范围: 250°C- 1500°C温度精度: ±3°C6 个波段可选:808、850、905、940、980和 1550nm

   

  < >数据采样率zui快可达 1 ms数字接口： RS232每秒钟向PC端输出70个读数测量光斑zui小可达0.25"，大小可调

   

  实际应用：

   半导体薄片温度测量

    晶片的生产和研发

    光洁表面的测量

    反应过程的温度测量:

  CVD 反应器

  MBE 反应器

  MOCVD 反应器

   

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