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MAB超大太赫兹面源黑体
典型的面源黑体不能用于模拟在THz带（0.1mm 至1mm）和亚THz带（波长从1mm至10mm）的黑体 目标，因为这样的黑体的发射率开始在约0.1mm处 下降和波长超过1mm时会变得非常低 。 原因是在 典型的红外黑体中使用的高发射率涂料对于THz光 辐射变得部分半透明，特别是在约0.5mm以上的较 长波长。
由于以下原因，THz的面源黑体的设计是一个技 术挑战：a）需要THz /短微波光谱带中的高吸收率 涂层的发射器以确保高发射率，b）对THz/ 微波成 像仪需要大面源黑体且低分辨率; c）需要高的温度 均匀性，时间稳定性和精度以使得能够精确地校准 THz /微波传感器。
MAB黑体是有不同发射体面积，不同温度范围 的一系列不同型号，并且针对不同光谱带而优化。 MAB黑体的特征在于良好的温度分辨率，时间稳定 性，温度均匀性，以及温度不确定性和高发射率。 所有这些特性使得MAB黑体成为用于测试/校准 Thz /亚太赫兹成像仪或这种辐射的其它仪表的系统 中的黑体的理想选择。
产品特点:
• 覆盖THz和亚THz频带的宽光谱范围
• 大面积达到 1mx1m
• 高发射率在Thz /亚太赫兹
• 在大黑体面积上具有良好的热均匀性
• 温度分辨率1 mK和温度稳定性10mK
• 高速，易于从PC控制
• 紧凑，可靠的设计（黑体与控制器集成）
MAB超大太赫兹面源黑体技术参数
| 参数 | 数值 |
| 孔径 | 从 150´ 150 mm 到 1000x1000mm |
| 典型型号: 400x400mm | |
| 光谱带 | 0.1 to 1mm (0.3-3 THz) (其他带宽可达到 30mm) |
| 温度范围 | 5°C ¸ +70°C (不同的温度范围) |
| 设置值和分辨率 | 1 mK |
| 发射率 | ≥0.96 (取决于型号和波长) |
| 温度均匀性1 | <0.02x(T-25) or 0.1ºC |
| 规定的稳定性 | ±3 mK @ ΔT=10°C |
| 总温度的不确定度 | (T-25°C)+100 [mK] 在 25°C环境温度 |
| 近似的升温速率 | +0.40ºC/sec. at 25ºC |
| 近似的冷却速率 | +0.20ºC/sec. at 25ºC |
| 稳定时间 | <120 sec |
| 电脑控制 | RS-232 (USB 2.0) or RS485 (option) |
| 电源要求 | 230VAC |
| zui大能耗 | from 300W to 12 000W depending on version |
| 操作温度 | 5˚C to 40˚C |
| 储存温度 | -10°C ¸ +60 °C |
| 相对湿度 | 5% to 95%, 无冷凝 |
| 近似重量 | 从18kg到170 kg |
