MAB超大太赫兹面源黑体-温度校验仪

MAB超大太赫兹面源黑体-温度校验仪

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具体成交价以合同协议为准
2021-01-29 15:02:27
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上海明策电子科技有限公司

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产品简介

MAB超大太赫兹面源黑体在市场上提供的典型面源黑体(包括由 我司提供的TCB / MTB黑体)以在通常使用的红 外辐射带中模拟*的黑体目标:约1 μm至约 15μm。这种黑体的发射器的高发射率通过温度控制 的金属板来实现,这种金属板具有高吸收率涂层的 薄层涂覆。

详细介绍

MAB超大太赫兹面源黑体

典型的面源黑体不能用于模拟在THz带(0.1mm 至1mm)和亚THz带(波长从1mm至10mm)的黑体 目标,因为这样的黑体的发射率开始在约0.1mm处 下降和波长超过1mm时会变得非常低 。 原因是在 典型的红外黑体中使用的高发射率涂料对于THz光 辐射变得部分半透明,特别是在约0.5mm以上的较 长波长。

由于以下原因,THz的面源黑体的设计是一个技 术挑战:a)需要THz /短微波光谱带中的高吸收率 涂层的发射器以确保高发射率,b)对THz/ 微波成 像仪需要大面源黑体且低分辨率; c)需要高的温度 均匀性,时间稳定性和精度以使得能够精确地校准 THz /微波传感器。

MAB黑体是有不同发射体面积,不同温度范围 的一系列不同型号,并且针对不同光谱带而优化。 MAB黑体的特征在于良好的温度分辨率,时间稳定 性,温度均匀性,以及温度不确定性和高发射率。 所有这些特性使得MAB黑体成为用于测试/校准 Thz /亚太赫兹成像仪或这种辐射的其它仪表的系统 中的黑体的理想选择。

产品特点:

• 覆盖THz和亚THz频带的宽光谱范围

• 大面积达到 1mx1m

• 高发射率在Thz /亚太赫兹

• 在大黑体面积上具有良好的热均匀性

• 温度分辨率1 mK和温度稳定性10mK

• 高速,易于从PC控制

• 紧凑,可靠的设计(黑体与控制器集成)

MAB超大太赫兹面源黑体技术参数

参数数值
孔径从 150´ 150 mm 到 1000x1000mm
典型型号: 400x400mm
光谱带0.1 to 1mm (0.3-3 THz) (其他带宽可达到 30mm)
温度范围5°C ¸ +70°C (不同的温度范围)
设置值和分辨率1 mK
发射率≥0.96 (取决于型号和波长)
温度均匀性1<0.02x(T-25) or 0.1ºC
规定的稳定性±3 mK @ ΔT=10°C
总温度的不确定度(T-25°C)+100 [mK] 在 25°C环境温度
近似的升温速率+0.40ºC/sec. at 25ºC
近似的冷却速率+0.20ºC/sec. at 25ºC
稳定时间<120 sec
电脑控制RS-232 (USB 2.0) or   RS485 (option)
电源要求230VAC
zui大能耗from 300W to 12 000W depending on version
操作温度5˚C to 40˚C
储存温度-10°C ¸ +60 °C
相对湿度5% to 95%, 无冷凝
近似重量从18kg到170 kg
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