KK1000A2000V【武整牌】㊣中频炉KK1000A2000V平板式快速晶闸管
KK1000A2000V特征:通态平均电流100-2500A,正反向重复峰值电压:100-2500V,全封闭陶瓷-金属螺柱型结构,符合IEC电工委会IEC标准,高浪涌电流的过载能力,扩散式图案,集中放大门极,保证高的dv/dt.di/dt,低热阻,高速度KK800A2000VKK800A2000V KK800A2000V
特征:通态平均电流100-2500A,正反向重复峰值电压:100-2500V,全封闭陶瓷-金属螺柱型结构,符合IEC电工委会IEC标准,高浪涌电流的过载能力,扩散式图案,集中放大门极,保证高的dv/dt.di/dt,低热阻,高速度KK500A2000VKK500A2000V KK500A2000V
特征:通态平均电流100-2500A,正反向重复峰值电压:100-2500V,全封闭陶瓷-金属螺柱型结构,符合IEC电工委会IEC标准,高浪涌电流的过载能力,扩散式图案,集中放大门极,保证高的dv/dt.di/dt,低热阻,高速度KS1000A1800VKS1000A1800V KS1000A1800V
特征:全扩散工艺,中心门极结构,平板型陶瓷管封装,,双面冷却,等效二只普通晶闸管反并联,通过适当的门极电流,正反向均可导通 参考价面议KS800A1800VKS800A1800V KS800A1800V
特征:全扩散工艺,中心门极结构,平板型陶瓷管封装,,双面冷却,等效二只普通晶闸管反并联,通过适当的门极电流,正反向均可导通 参考价面议KS300A1800VKS300A1800V KS300A1800V
特征:全扩散工艺,中心门极结构,平板型陶瓷管封装,,双面冷却,等效二只普通晶闸管反并联,通过适当的门极电流,正反向均可导通 参考价面议KS500A1800VKS500A1800V KS500A1800V
特征:全扩散工艺,中心门极结构,平板型陶瓷管封装,,双面冷却,等效二只普通晶闸管反并联,通过适当的门极电流,正反向均可导通 参考价面议KS200A1800VKS200A1800V KS200A1800V KS200A1800V
特征:全扩散工艺,中心门极结构,平板型陶瓷管封装,,双面冷却,等效二只普通晶闸管反并联,通过适当的门极电流,正反向均可导通 参考价面议KS100A1800VKS100A1800V KS100A1800V KS100A1800V
特征:全扩散工艺,中心门极结构,平板型陶瓷管封装,,双面冷却,等效二只普通晶闸管反并联,通过适当的门极电流,正反向均可导通 参考价面议MTC160A2000VMTC160A2000V MTC160A2000V MTC160A2000V
特征:芯片与底板电气绝缘,2500V交流电压,标准封装,全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力,350A以下模块皆为强迫风冷,400A以上模块,既可选用风冷,也可选用水冷,安装简单,使用维护方便,体积小,重量轻,真空+氢气保护焊接技术MTC160A2000VMTC160A2000V MTC160A2000V
特征:芯片与底板电气绝缘,2500V交流电压,标准封装,全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力,350A以下模块皆为强迫风冷,400A以上模块,既可选用风冷,也可选用水冷,安装简单,使用维护方便,体积小,重量轻,真空+氢气保护焊接技术MTC130A2000VMTC130A2000V MTC130A2000V
特征:芯片与底板电气绝缘,2500V交流电压,标准封装,全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力,350A以下模块皆为强迫风冷,400A以上模块,既可选用风冷,也可选用水冷,安装简单,使用维护方便,体积小,重量轻,真空+氢气保护焊接技术