关于扩散硅压力变送器的表征
　　气体吸附法测定比外表的关键是测出单层饱和吸附量，但实践的吸附并非都是单层吸附，而是所谓多层吸附，1938年，Brumauer、Emmett、ler三人在经过对气体吸附过程的热力学与动力学剖析，发现了实践的吸附量V与单层饱和吸附量Vm之间的关系，就是的BET方程， 于是人们把经过测定多点吸附量并经过BET方程求出的比外表称为BET比外表，不断是粉体资料外表积的规范表征办法。 此外，Laugmuir 依据单层吸附的假定也推出了测定比外表的公式，称为Laugmuir 比外表，用于具有单层吸附特征的资料外表积的表征。
　　BET比外表实践上包含了粉体外表上一切孔的内外表积，关于某些资料而言，例如扩散硅压力变送器的补强剂，微孔的内外表积不起作用，因而对橡胶的补强剂（碳黑）提出了不包括微孔内外表积的所谓表面面积概念，并提出了相应的表面面积的测试办法。
　　近些年来，在思索到微孔存在的状况下，BET方程的压力适用范围应有所调整，对X分子筛，BET的线性范围取在0.005～0.01；微孔资料取0.005～0.1；介-微孔复合资料取0.01～0.2；只要介孔资料P/Po 取在0.05～0.3才是适宜的；事实上关于微孔资料其吸附更接近于单层吸附的特征，由单层吸附理论推出的Langmuier比外表值应更契合他们。
　　关于微孔粉体其外表积的表征还有微孔内外表积、介孔内外表积等，将在下面讨论。
微分散布：孔径散布指不同孔径的孔容积的定量散布，普通习气用柱形图来表示，但是关于扩散硅压力变送器来说，孔径范围太大，从零点几到几百纳米，而且更关注小尺寸孔的散布，用柱形图无法完成，因而采用的是微分散布的表征办法，即dV/dr-D或dV/logd-D曲线图，这个图上的点代表的是孔体积随孔径的变化率，他的上下不能直接对应于其体积的大小，变化率大不等于体积大，由于孔体积与孔径的三次方成正比，一个50nm孔的体积相当于近一百万个1nm孔的体积；
在微孔的状况下，孔壁间的互相作用势能互相堆叠，微孔中的吸附比介孔大，因而在相对压力＜0.01时就会发作微孔中的填充，孔径在0.5~1nm的孔以至在相对压力10-5~10-7时即可产生吸附质的填充，所以微孔的测定与剖析比介孔要复杂得多。显然，把BJH孔径剖析办法延伸到微孔区域是错误的，两个缘由，其一，凯尔文方程在孔径＜2nm时是不适用的；其二，毛细凝聚现象描绘的孔中吸附质为液态，而在微孔中由于密集孔壁的交互作用，使得填充于微孔中的吸附质处于非液体状态，因而孔径散布的规律必需有新的理论及计算办法，宏观热力学的办法已远远不够。
　　依据Lippens和deBoer提出的t-图法是微孔剖析用得较多的一种，吸附量被定义为统计层厚度t的函数，统计层厚度由规范等温线计算得到。由t-图能够计算含微孔内外表的比外表，表面面积，微孔的总容积等。T-图用于孔径散布的剖析办法即MP法，能够剖析微孔的孔径散布。T图法和MP法的缺陷是，他依然把填充于微孔中的吸附质看成是液体，对孔径的计算仍采用凯尔文方程，因而扩散硅压力变送器的微孔总孔体积只要相对意义，且孔径散布范围不能表征真正的小微孔区域。
 

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