砷化铟探测器（InAs）
———近红外探测器 波长范围：1-3.8μm
DInAs3800和DInAs3800-TE两种型号，其中：◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件；◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。
主要技术指标
| 型号/参数 | DInAs3800 | DInAs3800-TE | | 光敏面直径（mm） | 2 | 2 | | 波长范围（μm） | 1-3.8 | 1-3.8 | | 峰值响应度（A/W） | 0.8 | 1.5 | | D*（@λpeak, 1KHz）cm Hz1/2W-1 | 2.5×109 | 9.1×1012 | | NEP（@λpeak,1KHz）pW/Hz1/2 | 71 | 4.4 | | 温控器型号 | - | ZTC-2 | | 探测器温度（℃） | 室温 | -40 | | 温度稳定度（℃） | - | ±0.5 | | 信号输出模式 | 电流 | 电流 | | 输出信号极性 | 正（P） | 正（P） | | 制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC） | | *使用前置放大器型号：ZAMP | | | |
砷化铟探测器使用建议：
● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；
● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；
● 制冷型DInAs3800-TE，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制。
