Z-TRONIII射频导纳料位计
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Z-TRONIII射频导纳料位计

Z-TRONIII Z4-3002-754Z-TRONIII射频导纳料位计

参考价: 订货量:
2850 1

具体成交价以合同协议为准
2024-11-28 14:02:25
230
属性:
测量范围:0~5m;测量精度:1mm;产地:进口;防爆等级:一级,二级,三级,四级,五级,其他;分辨率:1mm;工作频率:50Hz;功耗:3W;环境温度:-20~200℃;加工定制:是;适用范围:粉体;应用领域:石化,钢铁,电力,轻工,环保;执行质量标准:美标;
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产品属性
测量范围
0~5m
测量精度
1mm
产地
进口
防爆等级
一级,二级,三级,四级,五级,其他
分辨率
1mm
工作频率
50Hz
功耗
3W
环境温度
-20~200℃
加工定制
适用范围
粉体
应用领域
石化,钢铁,电力,轻工,环保
执行质量标准
美标
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辽阳慧特仪表有限公司

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产品简介

Z-TRONIII射频导纳料位计采用先进的射频导纳技术,为低成本通用型点位控制仪表,适用于大多数应用场合,是射频导纳物位开关的一个重要组成部件,探头又由测量极、保护极和绝缘层三部分组成。探杆形式可根据工况需求定制为杆式或缆式,长度和材质也均可根据特殊要求定制。

详细介绍

Z-TRONIII射频导纳料位计采用先进的射频导纳技术,为低成本通用型点位控制仪表,适用于大多数应用场合,是射频导纳物位开关的一个重要组成部件,探头又由测量极、保护极和绝缘层三部分组成。探杆形式可根据工况需求定制为杆式或缆式,长度和材质也均可根据特殊要求定制。连接过程部分有螺纹式和法兰式供选择,也可根据特殊需求定制。接线盒的外壳是由铝合金材质铸成,厚度符合防爆等级要求,内部装有可见的电子模块,接线和调试都很方便。整体的结构简单,安装使用方便,使用性能稳定可靠,几乎免维护这样就有效地提高工作效率。  作为一款常用的物位测量仪表。它的具有体型小、结构简单、安装调试方便、稳定性强等优势,通常被应用于石油、化工、电力、水泥、钢厂等部门。  是一种从电容式物位技术发展起来的新型物位控制技术,是对电容式物位技术的升级,具有防挂料、更可靠、更准确、适用性更广的特点。要了解射频导纳的概念,我们需要先知道射频和导纳的含义。射频即高频无线电波谱,而导纳的含义则为电学中阻抗的倒数,它由电阻性成分、电容性成分、感性成分综合而成,所以射频导纳可以理解为一种利用高频(即射频)电波来测量电子元件特性参数的仪表。  射频导纳的原理  射频导纳的原理是通过探头感知其与储罐体间电抗(容抗和阻抗)的变化实现物位测量和控制的。其内部电子单元,由探头测量极与空载罐体间的电抗共同构成平衡电桥电路并产生一个稳定振荡信号,当被测介质覆盖探头测量极时,会引起探头测量极与罐体间的电抗变化导致电桥电路不平衡而停止产生振荡信号,后级电路检测到这一变化从而输出报警信号。  该振荡信号作为射频信号施加在探头测量极的同时,还经过1:1的电压跟随器后送往探头的保护极,测量极与保护极的射频信号具有等电位、同相位、同频率又互相隔离。当探头有挂料时,测量极与保护极之间因为没有电势差而形成电气隔离确保保护极的信号变化不影响检测,使探头测量极上电抗的变化只能由探头测量极与罐体间的物料决定,从而使探头上的挂料不会影响正常检测。  射频导纳物位控制器是使用射频导纳物位控制技术设计制作的一种新型物位测量仪表。射频导纳测量技术,简单的说就是使用高频电流测量系统导纳的方法。点位射频导纳技术与电容技术不同,它采用了三端技术,使得测量参量多样化。射频导纳技术由于引入了除电容以外的测量参量,尤其是电阻参量,使得仪表测量信号信噪比提高,从而大幅度提高了仪表的分辨力、准确性和可靠性;测量参量的多样性也有力地拓展了仪表的可靠应用领域。使得产品防挂料(传感器粘附之物料称为挂料)性能更好、工作更可靠、测量更准确、适用性更广的物位控制技术。  该产品主要由传感器模块、电子模块和其它一些连接器件构成。传感器单元主要包括三部分:测量探极、屏蔽极及接地端。被测物料的高度反映为测量探极与容器壁间导纳的变化情况,当物料到达开关工作点时,电子单元作出反应,驱动继电器动作,输出开关信号。屏蔽极可防止由于电极上有挂料而产生误动作信号,仅当物料真正达到设置点时,才输出开关控制信号。

AMETEK Z4-3002-101  Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-101  Z-tron IV射频导纳物位开关 Z4-3002-103 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-106 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-301 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-325 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-327 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-701 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-753 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-754 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-755 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-756 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-757 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-758 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-760 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-761 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-762 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-763 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-764 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-766 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-767 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-768 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-769 Z-tron IV射频导纳物位开关Z4-3002-770 Z-tron IV射频导纳物位开关









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