硅单晶材料在受到外力作用产生极微小应变时(一般步于400微应变)，其内部原子结构的电子能级状态会发生变化，从而导致其电阻率剧烈变化(G因子突变)。用此材料制成的电阻也就出现*变化，这种物理效应称为压阻效应。利用压阻效应原理，采用集成工艺技术经过掺杂、扩散，沿单晶硅片上的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥，利用硅材料的弹性力学特性，在同一切硅材料上进行各向异性微加工，就制成了一个集力敏与力电转换检测于一体的扩散硅传感器。给传感器匹配一放大电路及相关部件，使之输出一个标准信号，就组成了一台完整的扩散硅压力变送器。CN421型扩散硅压力变送器采用全智能技术，结构紧凑、坚固、重量轻、便于安装、使用方便、免维护；用于测量液体、气体或蒸汽的液位、密度、压力，然后将其转变成4～20mADC HART电流信号输出。

1.高精度、高稳定性、高可靠性；
2.抗过载和抗冲击力强；
3.量程覆盖范围广；
4.过程连接形式多样，具有齐平膜、卫生型；
5.体积小、外形美观；
6.直接过程连接无需安装支架；
7.防雷击、防射频干扰；

电源电压	16~28VDC(本安型经安全栅供电)
输出信号	二线制 4 ～20mA DC/HART 协议数字通讯( 可选)
精度	±0.1%FS(典型) ±0.25%FS(大)
负载电阻	（U～12V）/0.02Ω
稳定性	≤±0.25%FS/年
接液材质	隔离膜片:316L 不锈钢或钽（可选）
压力接口	不锈钢1Cr18Ni9Ti/哈氏合金C
防护等级	IP65
防爆认证：	本安(Ex i b ⅡC T6) ;隔爆(Ex d ⅡC T6)
环境温度：	温度-40~+80℃
环境湿度：	0~90%RH
过程连接	M20*1.5外螺纹(膜片内藏)/ G1/2外螺纹(膜片内藏)/ M20*1.5外螺纹(齐平膜型) /卡箍式
压力类型	表压/绝压

1.根据被测压力量程，按实际测量压力为测量范围的80%选取。要考虑系统的大压力。一般来说，压力变送器器压力范围大值应该达到系统大压力值的1．5倍。一些水压和过程控制，有压力尖峰或者连续的脉冲。这些尖峰可能会达到“大”压力的5倍甚至10倍，可能造成变送器的损坏。连续的高压脉冲，接近或者超过变送器的大额定压力，会缩短变送器的实用寿命。但提高变送器额定压力会牺牲变送器的分辨率。可以在系统中使用缓冲器来减弱尖峰，这会降低传感器的响应速度。
2.系统的大过载应小于变送器的过载保护极限，否则会影响变送器的使用寿命甚至损坏变送器。通常压力变送器的安全过载压力为满量程的2倍；
3.测量蒸汽或其它高温介质时，需接加缓冲管（盘管）等冷凝器，不应使变送器的工作温度超过极限；
4.冬季发生冰冻时，安装在室外的变送器必需采取防冻措施，避免引压口内的液体因结冰体积膨胀，导至传感器损坏；
5.测量液体压力时，变送器的安装位置应避免液体的冲击（水锤现象），以免传感器过压损坏；
6.接线时，将电缆穿过防水接头（附件）或绕性管并拧紧密封螺帽，以防雨水等通过电缆渗漏进变送器壳体内；