BALLUFF传感器主要作用

BTL5-E10-M2500-P-S32BALLUFF传感器主要作用

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2024-11-22 21:03:34
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产品简介

BALLUFF传感器主要作用
防护等IEC 60529IP67
许可/*性CE, cULus
形状型号系列,型面结构
BTL5-E17-M0225-P-SA225-KA02
BTL5-T110-M0100-B-S103
BTL5-T110-M0100-P-S103
BTL5-T120-M1000-P-S103
BTL5-G11-M0100-B-S32

详细介绍

BALLUFF传感器主要作用


型材结构的位置测量系统是非接触式和测量系统,用于探测一个或多个位置。因为它们由一个密封的IP67铝外壳构成,所以在压力机、注塑机或龙门机器人等恶劣环境中表现突出。位置传感器的磁铁透过型材壁作用到测量元件上。
主要作用;
在基础学科研究中,传感器更具有突出的地位。现代科学技术的发展,进入了许多新领域:例如在宏观上要观察上千光年的茫茫宇宙,微观上要观察小到fm的粒子,纵向上要观察长达数十万年的天体演化,短到 s的瞬间反应。此外,还出现了对深化物质认识、开拓新能源、新材料等具有重要作用的各种技术研究,如超温、超低温、超压、超真空、*磁场、超弱磁场等等。显然,要获取大量人类感官无法直接获取的信息,没有相适应的传感器是不可能的。许多基础科学研究的障碍,首先就在于对象信息的获取存在困难,而一些新机理和灵敏度的检测传感器的出现,往往会导致该领域内的突破。一些传感器的发展,往往是一些边缘学科开发的
传感器早已渗透到诸如工业生产、宇宙开发、海洋探测、环境保护、资源调查、医学诊断、生物工程、甚至文物保护等等极其之泛的领域。可以毫不夸张地说,从茫茫的太空,到浩瀚的海洋,以至各种复杂的工程系统,几乎每一个现代化项目,都离不开各种各样的传感器
反极性保护 是
在24 V直流时的Z大耗电量 150 mA
工作电压Ub 20…28 VDC
接通峰值电流 ≤ 3 A/0.5 ms
电缘 是
耐电压 (GND – 外壳) 500 V DC
过压保护 是
BKS-S 33M-10
测量范围1000 mm
环境温度-40...85 °C
模拟输出端模拟,电流, 4…20 mA
线性偏差,Z大±0.02 %FS
位置传感器,Z大数量1 pcs
外壳材料铝
分辨率≤ 0.2 µA
重复≤ ±0.2 µA
接口M16x0.75, 8-针
固定固定夹

产品型号
BTL5-T110-M4000-P-S103 
BTL5-H112-M0750-P-S92 
BTL5-E10-M0100-K-K02 
BTL5-E10-M0200-K-K02 
BTL5-H110-M0450-P-S94 
BTL5-C17-M0750-H-K05 
BTL5-C17-M0750-H-K05

BALLUFF传感器主要作用
 

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