两探针电阻率测试仪 型号:CN60M-FT-300TZ库号：M291339   查看hh参照标准：GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法-方法2直流两探针法；SEMI MF 397-1106<<硅棒电阻率测定两探针法>>参数 资料1.电阻率：10^-7～2×10^7Ω-cm 2.电 阻：10^-7～2×10^7Ω3.电导率：5×10^-7～10^7s/cm 4.分辨率： 0.1μΩ 测量±（0.05%读数±5字）5.测量电压量程： 2mV  20mV  200mV 2V 测量精度±（0.1%读数）6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV 7.电流输出：直流电流 0～1000mA 连续可调， 量程：1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，1000mA, ：±0.2%读数±2字8.显示方式：液晶显示：电阻值、电阻率、电导率值、温度、单位自动换算、横截面、高度、电流、电压等.9.温度要求：23℃±1℃ 10.电源：220±10% 50HZ/60HZ 11. 测量平台参数如下：1）.可测硅芯、检验棒尺寸：直径4~22㎜ （其他规格可定制）2）.探针头探针与试样接触位置重复，无横向移动。3）.两探针测试探针。探头间距1.59mm（其他规格可定制）；探针机械游率：±0.3%。4）.探针直径0.8㎜；探针压力总6-12N，探针材料：钨针，5）.探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧12.标配外选购项：a.pc软件1套；b.标准电阻1件；c.电脑和打印机