哈尔滨芯明天科技有限公司提供高品质单层压电元件，在形状及尺寸方面可广泛选择。我们可以生产很宽的尺寸范围的管状压电陶瓷元件，外径可生产5mm至140mm，以适合您的特殊应用。

芯明天单层压电陶瓷（又常被称作超声陶瓷）内部仅含有一层压电陶瓷层，且内部无电极层，仅有外部表面的电极层，不像多层叠堆压电陶瓷，内部具有很多陶瓷层及电极层。在不破坏单层陶瓷对应正、负电极情况下，可进行切割使用。

管状压电陶瓷元件 芯明天单层压电陶瓷电极

芯明天单层压电陶瓷通常为丝网印刷银电极，厚度约几微米至几十微米，也可定制镍、金、镀银等电极。 单层压电陶瓷片的标准电极为上下面，一面为正极、一面为负极；管状单层陶瓷的标准电极为内外壁电极，内壁为正极、外壁为负极。 除

标准电极外，我们也可提供特殊电极，如电极延覆WAE（Wraped Around Electrode），可将正负电极引至同一侧，如下图所示，为标准可选的WAE电极形式，一般从另一面延覆来的电极为负极，另一区域为正极，如下图标记。

单层压电陶瓷的谐振频率

Tube管状压电陶瓷至少具有两个谐振频率，即轴向、径向谐振频率，它的径向谐振频率与外径、壁厚等有关。

Tube管状陶瓷轴向（即高度方向）的谐振频率可通过以下公式进行估算：

F=0.002*N/(OD–ID)

N：厚度方向频率常数, 取决于材料，详见材料参数工作表，

OD：外径[mm] ， ID：内径[mm] ， 此计算值为为估计值。

例如：N40 Tube OD39-ID32-TH13，计算得它的轴向谐振频率约为550kHz。

将压电陶瓷装入设备中后，陶瓷的谐振频率将降低，具体参数需要进行结构分析。

单层压电陶瓷的位移估算

利用逆压电效应，即对压电陶瓷施加电压，压电陶瓷受电场影响将产生形变位移。

1、位移的粗略估计

单层压电陶瓷一般在耐压值下的位移约为位移方向长度的1‰，例如1mm厚陶瓷片，它的耐压值为1000V，在1000V下，它产生的位移约为1μm。

2、片状单层压电陶瓷的位移估算：

其中：

U：施加电压[V] ， H：陶瓷高度[m] ， E：电场强度[V/m] ， d：压电系数[m/V] ， W：陶瓷宽度[m]

由以上公式可知：片状单层压电陶瓷的位移只与材料及所给电压有关，而对于同一种材料，不同高度的陶瓷片，只要施加相同电压（切记：电压不可超出所能承受的电压），所产生的位移基本相同。

其他形状也可根据此计算公式进行估算位移情况。

3、单层陶瓷工作在谐振频率点时产生的振动幅度大。

作为传感或发电时，输出电压估算

单层压电陶瓷作为传感器时是利用它的正压电效应，即通过施加外力使之产生形变，从而输出电荷。

圆片输出电压理论估算公式：

g33：为材料常数 ， F：为力，单位 ， H：为高度 ， R：为圆片的半径

例如: 圆片NCE41-Disc-OD20-TH5，NCE41材料系数为25.5*10-3，当施加12500N力时，理论估算所产生的电压为5000V。 管状单层压电陶瓷的输出电压应减去内径计算出的电压值。

单层压电陶瓷用来发电产生的功率，在谐振频率下，可达<span margin:0px;padding:0px;"="" style="margin: 0px; padding: 0px;">3，芯明天单层压电陶瓷在谐振频率下产生功率材料为NCE81材料。