这两系列产品是高耐压驱动变压器。具有结构紧凑的特点，其的特点是抗电强度。另外，DRT810系列产品，初级备有两个备用的输入通道，每个通道都接有二极管，次级内置整形电路，在使用中可在可控硅门极串接一个二极管用于阻止负极性门极电流。此外如果想测量可控硅的门极电流可在次级接一测量电阻，将次级输出点做为测量点进行测量电阻两端电压，即可得到门极电流的大小。

 一．产品特点：

    ① 耦合电容低，使之具有很高的抗干扰能力；

    ② 漏感小，保证了更好的输出脉冲波形；

    ③ 无开关延时、瞬时传输功率高；

    ④ 抗电强度高，安全可靠；

    ⑤ 全封闭，机械和耐环境性能好；

    ⑥ 体积小巧，结构紧凑，外形美观，针脚穿孔式安装，使用方便。

  二．使用条件：

    ① 环境温度：-40℃~+85℃；

    ② 相对湿度：温度为40℃时不大于90%；

    ③ 大气压力：860~1060mbar(约为650~800mmHg)。

 三．绝缘耐热等级：B级(130℃)

四．安全特性：

    ① 绝缘电阻：常态时大于1000MΩ；

    ② 阻燃性：符合UL94-V0级。

 五．DRT系列高耐压驱动变压器各型号典型特性对比表：

说明：

    ① 上表中所给出的参数是在室温下测得的典型值。

    ② 各参数的意义：

    u—变比=Ⅰ：Ⅱ：Ⅲ

    V_P—各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值，持续时间60s

    ∫udt—额定伏微秒积≈V₁·t_n(在一定频率范围内其值基本不变)

    L_P—线圈初级电感量  f=1000Hz  V=0.3V

    L_S—漏感(将次级绕组短路后测量) f=1000Hz  V=1V

    C_K—分布电容   f=1000Hz  V=1V

   六．选型指南：

    ① 首先根据系统的工作电压V。(有效值)来确定所需的抗电强度Vp，可按表1推荐选择：

    表1：

    ② 根据控制级电源电压和IGBT需要的驱动电压选择变比。

    例如：若初级脉冲幅值为15V，为了使IGBT可靠驱动，则需要选择变比为1:1的驱动变压器，如DRT801/101A、DRT801/111B或DRT802/101A等。若初级脉冲幅值为24-30V，为了使IGBT可靠驱动，则需要选择变比为2:1的驱动变压器，如DRT801/201A、DRT801/211B或DRT802/201A等。

    ③ 根据伏微秒积(∫udt)及驱动脉冲的频率(fp)，按已知驱动脉冲的伏微秒积应小于等于该频率范围内DRT驱动变压器的额定伏微秒积的原则选型。

    例如：若调制脉冲的频率为20kHz，脉冲幅度为15V，脉宽为20μs，则其伏微秒积∫udt=15×20=300 μVs，按已知驱动脉冲的伏微秒积应小于等于该频率范围内DRT驱动变压器的额定伏微秒积的原则选型，可选DRT802系列产品。若调制脉冲的频率为50kHz，脉冲幅度为24V，脉宽为10μs，则其伏微秒积∫udt=24×10=240μVs，按已知驱动脉冲的伏微秒积应小于等于该频率范围内DRT驱动变压器的额定伏微秒积的原则选型，可选DRT801系列产品。

 七．使用指南：

    ① 典型应用电路：

    ② 说明：

    ⅰ．R₁、D₁主要起续流作用。D₁一般可选1N4007，R₁可选1kΩ~2 kΩ；

    ⅱ．D₂、D₃，R₂、R₃主要起整形和防止IGBT栅极开路并提供放电回路。D₂、D₃可选用加速二极管，用以提高IGBT的开关速度，R₂、R₃可选几十欧姆~几百欧姆。

    ⅲ．D₄、D₅主要起限制加在IGBT(g-e)端的电压作用，避免过高的栅射电压击穿栅极。

    ⅳ．驱动变压器的使用频率可以在几kHz ~几十kHz之间。

  八．DRT系列高耐压IGBT驱动变压器的各参数意义及外形图、安装尺寸、线圈图和主要技术参数(典型值)

    ① 各参数的意义：

    u—变比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。

    V_P—各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值，持续时间60s。

    ∫udt—额定伏微秒积≈V₁·t_n(在一定频率范围内其值基本不变)。

    V₁—输入脉冲幅度(初级脉冲电压)。

    t_n—在相应的V₁和f_P下驱动变压器的额定传输脉宽。

    V₂—输出脉冲幅度(次级脉冲幅度)。

    R_L—IGBT模块或MOSFET控制级等效电阻。

    L_P—线圈初级电感量  f=1000Hz  V=0.3V

    L_S—漏感(将次级绕组短路后测量) f=1000Hz  V=1V

    C_K—分布电容   f=1000Hz  V=1V