概述

    DS2030是256kb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM，由一个静态RAM (SRAM)，一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中，采用256焊球BGA封装。模块VCC上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，SRAM内容可修改。VCC断电或超出容，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2030有两种版本，分别提供5%和10%的电源监控跳变点。DS2030还具有一个电源监控输出，/RST指示，可用作微处理器的CPU监视器。

特性

单片，可回流焊，27mm x 27mm BGA封装

内部ML电池和充电器

VCC超出容限后，对SRAM无条件写保护

VCC电源失效后，自动切换到电池供电

内部电源监控，检测电源是否低于标称VCC (5V)的5%或10%

复位输出可用作微处理器的CPU监视器

工业级温度范围(-40°C至+85°C)

应用

数据采集系统

烟雾报警器

游戏机

工业控制器

PLC

POS终端

RAID系统和服务器

路由器/交换机