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描述
Semiconductors VOW135 和 VOW136 光耦合器是 1MBd 宽体光耦合器，由通过光耦合到集成光检测器上的 GaIAIs 红外发光二极管组成。一体式 Faraday 屏蔽可提供大功率开关应用所需要的高等级噪声隔离。Vishay 的 1MBd 宽体耦合器具有高等级的绝缘间距。VOW135 和 VOW136 的外部爬电距离均 >10mm。VOW135 和 VOW136 非常适合工作电压超过 1000V 的应用。
特性
外部爬电 > 10mm
加强型隔离
用于非常高的输入到输出噪音隔离的内部屏蔽
高共模干扰抑制
应用
太阳能逆变器
工业电机驱动器
焊接设备
隔离工业通信
敏感电路的噪声隔离
规格
数据速率: | 1 Mbps |
通道数量: | 1 Channel |
输出类型: | Photo IC |
绝缘电压: | 5300 Vrms |
Vf - 正向电压: | 1.38 V |
If - 正向电流: | 16 mA |
Vr - 反向电压 : | 3 V |
Pd-功率耗散: | 100 mW |
电流传递比: | 24 % |
工作温度: | + 100 C |
最小工作温度: | - 40 C |
封装: | Reel |
输出电流: | 8 mA |
