霍尔效应测量系统L79/HCS

霍尔效应测量系统L79/HCS

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2023-05-05 14:50:00
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产品简介

霍尔效应测量系统L79/HCS L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征,包括:迁移率,电阻率,载流子浓度和霍尔常数。

详细介绍

L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征,包括:迁移率,电阻率,载流子浓度和霍尔常数。

基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温(液氮)附件结合高温炉(温度可达800°C)可确保涵盖所有应用领域。永磁体和电磁铁可提供高达几特斯拉强度的固定或者可变磁场。

样品支架位于密封的真空测量室,测量室设有进出气体口,可在受控及可变的气氛下进行测量。不同的样品支架可用于从LN2至800℃进行测量。

可选的实际磁场强度可以在高达150℃的温度下测量。测量过程中,在滑轨上的两个磁路可以移动组装,可将磁通量从正变为零甚至为负,因此样品无需移动。


型号

L79 HCS

温度范围

从LN2 至 800°C (不同配置)

输入电流

5nA 至 125 mA

霍尔张力

1 µV 至 2500 µV

数字分辨率

300 pV

样品几何形状

从 5 x 5 mm 至 25 x 25 mm

高度 5 mm

磁场

Basic: 永磁铁,0.7 T;磁极直径90 mm
用于双极测量的两个磁铁设置。
Alt.: 电磁铁1 T (可变场);磁极直径76mm

电源 75A / 40V.
双极测量用电流反向开关

传感器

提供不同的可交换传感器配置

电阻率范围

10-4 至 10(Ω/cm)

载体密度

107 至 1021 (1/cm3)

迁移率

1 至 107 (cm2/Volt sec)

重复性/准确性


电阻率

± 3% (大多数材料)
± 6% (大多数材料)

霍尔常数

± 5% (大多数材料)

± 6% (大多数材料)

气氛

真空,惰性,氧化,还原

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