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东洋热科学TOYONETSU数字温度计TM-710
¥4444KX-G 0.3/7补偿导体TOYONETSU东洋热科学
¥2356TOYONETSU东洋热科学TR-0型白金测温电阻体
¥2563TOYONETSU东洋热科学TP-0带保护管的热电偶
¥9860SEIHO西邦SGP-K外墙树脂通风口
¥3500柔性接头PW西邦SEIHO冷却器盖CKA-S
¥1200BL/铝制外墙通风口SV-GBL西邦SEIHO
¥3560阻尼器FDA钢板插入式防火阀西邦SEIHO
¥8999西邦SEIHO外墙铝制通风口SV-G通气帽
¥13560室内通风口西邦SEIHO差压型通风口JSF
¥7560BL/不锈钢外墙通风口SV-GSBL西邦SEIHO
¥13560SEIHO西邦2个管道用通风口CFX125WS
¥5630nanoCVD石墨烯/CNT合成装置THERMOCERA
nanoCVD石墨烯/CNT合成装置THERMOCERA
薄膜实验装置紧凑型系列,nanoCVD石墨烯/CNT合成装置,nanoCVD-8G,nanoCVD-8N,石墨烯/碳纳米管合成仪,nanoPVD-S10A磁控溅射装置,nanoPVD-T15A有机膜/金属膜沉积装置,nanoETCH Model.ETCH5A软蚀刻设备,nanoEM高真空EM镀膜设备
产品介绍
nanoCVD石墨烯/CNT合成装置
每批只需30分钟,即可轻松合成高质量石墨烯和碳纳米管
CVD法(化学气相沉积)
CVD法是一种稳定的技术,已经被建立用于多种用途,并且是考虑未来大规模合成石墨烯和CNT时最现实的方法。我们就在这里。制造商 Moorfield 与英国国家研究院合作多次验证了该沉积测试设备。在研究机构的合作下,已经证实可以利用拉曼光谱、SEM、AFM等分析数据来创建高质量的石墨烯和碳纳米管样品。
冷壁CVD
采用冷壁式/高温样品加热台(热板),反应速度快,重现性好。设备紧凑,处理时间短,可操作性优良,可创建并保存30种合成配方。除了标准的系统配置外,我们还可以根据要求定制设备配置。纳米CVD系统虽然很小,但却是一个具有无限可能性的实验装置,为基础研究和开发领域做出了贡献。
特征
石墨烯/碳纳米管(SWNT)沉积实验可以轻松进行,无需使用大型设备。
每批只需30分钟!
冷壁法高效高精度过程控制
快速升温:RT→1100℃/约3分钟
高性能机器,具有高精度温度流量控制和出色的再现性
操作简单!通过5英寸触摸屏进行操作和配方管理
最多可以创建和保存 30 个配方和 30 个步骤的合成程序。
标配专用软件,CSV 文件输出 PC 上的数据记录
USB线连接,PC端创建的菜谱可上传至设备
nanoPVD-S10A磁控溅射装置
高性能RF/DC磁控溅射设备
连续多层镀膜、双源同时镀膜、APC自动压力控制
极限压力:5 x10-5 帕斯卡
多达 3 个源 Φ2" 磁控管阴极
自动多层连续薄膜,可同时薄膜沉积
直观操作 多功能软件“Intellidep”
用于连接 Windows PC 的远程软件“IntelliLink”
高性能RF/DC磁控管型溅射设备。虽然它很小,但它是一种满足追求高性能而又不影响薄膜质量(例如一般金属薄膜、绝缘体和化合物)的用户的设备。支持多达 3 源阴极、多层连续薄膜和同步沉积(*仅限 RF 和 DC 组合)。有许多选项,例如加热器、旋转/升降、磁性材料阴极以及使用电容压力计的高精度压力控制。
nanoPVD-T15A有机膜/金属膜沉积装置
紧凑、高性能、
高性能有机膜和金属膜沉积设备
Φ2英寸・Φ4英寸板
紧凑尺寸:804(W) x 560(D) x 600(H)mm
是一款高性能的“有机膜/金属膜气相沉积”设备。采用Moorfield的有机沉积源“LTE1”和金属材料沉积源“TE1-Box屏蔽型”,具有优异的温度响应性、稳定性和再现性。适用于OLED、OPV、OTFT等有机薄膜沉积以及金属材料沉积。一种多功能设备,最多可配备2个金属气相沉积源和最多4个有机气相沉积源,还可以进行自动连续多层沉积和同时沉积。