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装置概述
本装置是CVD反应装置，拥有四个气路，两套独立的气路控制单元，加热炉安装在装置的侧面上下安装，精密的仪表控制加热炉炉温和气体流量，具有可靠性高，操作简便，结构紧凑的特点。该装置可用于化学沉积及与CVD特点相似的材料制备过程。
技术参数
- 气路：1-4（任选）；
- 加热炉：1-2（任选），加热炉温度Max：1000 ℃
- 气体质量流量器：0 - 500 mL/min（任选）；
- 工作压力：常压；
- 温度控制：± 0.5 ℃；
- 计算机控制（任选）。
