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nanoplus InGaAsSb 光电二极管

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准

2022-10-19 16:44:40: 142

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产品简介

nanoplus 推出的InGaAsSb（锑砷化铟镓）光电二极管，以分子束磊晶法(MBE)成长锑砷化铟镓作为参杂材料，相比传统砷化铟镓具有更好的结晶品质和传输特性。光电二极管工作在1000nm-2600nm的波长范围内，峰值波长为1880nm，采用TO5封装，有效面积为Ø1mm，Ø2mm和Ø3mm，具有响应速度快、灵敏度高等特点，非常适合用于高灵敏度气体分析、过程控制和环境监测等领域。

详细介绍

主要特点

波长范围1000nm-2600nm
Ø1mm，Ø2mm和Ø3mm有效面积
采用TO5封装，带或不带制冷器

应用服务

高灵敏度气体分析
过程控制、环境监测
各种分析仪器等

技术参数

nanoplus InGaAsSb(锑砷化铟镓) 光电二极管主要参数特性：

主要参数特性 (T = 25 °C)	符号	单位	标准
Spectral response range	I	nm	1000-2600
Peak sensitivity wavelength	I_p	nm	1880
Peak responsivity	R_p	A/W	0.66
Dark current without bias	I_D	nA	95
Junction capacitance	C_J	pF	41
Shunt resistance	R_sh	Ω	17

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